客户对MWIR/LWIR区域更宽光谱波段吸收探测器的需求，以及与MCT技术相比具有竞争力的参数，鼓励VIGO开发新型材料和探测器。基于InAs/InAsSb超晶格(SL)的探测器是我们对完全符合RoHS标准的产品的响应，设计用于在HOT条件下与热电冷却器(TEC)一起运行。
目前制造的广泛使用的探测器是由汞-碲化镉化合物(MCT)通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制成的。尽管MCT化合物有许多优点，但目前在某些应用中，含有汞、镉和铅的探测器由于其毒性，通过规范和指令(如RoHS)相继从消费市场上删除。
上述与MCT相关的限制促使该公司寻找替代材料系统和技术作为替代。InAsSb三元III-V化合物是一个很好的候选化合物，在相似的波长范围内工作。在文献和科学伙伴的鼓励下，VIGO决定开发无ga的InAs/InAsSb超晶格。
经过三年对InAs/InAsSb SL在SI GaAs基板上的MBE生长技术的研究，VIGO准备推出第一代具有可与MCT相媲美参数的SL产品。到目前为止，我们已经成功制造了光伏器件(MWIR)和光导器件(LWIR)。
要了解更多关于这个主题的信息，请点击这里和阅读
 |
 |
 |
 |
 |
 |
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
