视频
加载播放器…
  • 提供配置文件

  • VIGO systems S.A.是一家全球领先的标准和定制中长波长范围的高科技非冷却光电探测器制造商。80年代，在军事技术学院，hab博士领导的一个团队。Joseph Piotrowski开发了一种独特的技术，用于生产不需要低温冷却的探测器，然后将其应用于一家新成立的公司。80年代，在军事技术学院，hab博士领导的一个团队。Joseph Piotrowski开发了一种独特的技术，用于生产不需要低温冷却的探测器，然后将其应用于一家新成立的公司。

    VIGO生产的探测器用于各种领域，例如:

    • 工业-激光功率控制和校准;
    • 国防和安全——智能弹药、预警系统;
    • 环保——气体分析，实时水质控制;
    • 医疗保健——非侵入性血液分析;
    • 传输——快速运动物体温度分布的分析
    • 研发-精密、无损光谱学。
产品组合

  • 红外探测器

  • 基于HgCdTe材料的探测器在所有已发现的适用于红外探测的材料中提供了最高的性能。我们的探测器对MWIR (3-8μm)和LWIR (8-16μm)光谱范围进行了优化。它非常适合用于工业和环境保护的气体传感器。它们是CRDS, TDLAS或FTIR光谱的理想解决方案。非常高的检测参数和操作速度使其成为泄漏检测，运输安全或国防应用等应用的理想选择。我们还提供符合RoHS标准的基于InAs或InAsSb的探测器，适用于消费市场。

      • HgCdTe (MCT)光伏探测器

      • 光伏探测器(光电二极管)是具有一个(PV)或多个(PVM)、同质结或异质结的半导体结构。被吸收的光子产生电荷载流子，这些载流子在触点处被收集，从而产生外部光电流。光电二极管具有复杂的电流电压特性。该器件既可以在无闪烁零偏下工作，也可以在反向电压下工作。反向偏置电压经常用于提高响应性，差分电阻，降低射击噪声，改善高频性能和增加动态范围。

          • 选中的行

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 2.4 - 5.5µm，环境温度，光浸

                PVI-5-1×1-TO39-NW-36基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 5µm时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频时的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频时的性能。

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 2.4 - 4.5µm，环境温度，光浸

                PVI-4-1×1-TO39-NW-36基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器具有最佳的性能和稳定性。该器件在4µm处进行了最佳性能优化。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜单片集成。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频时的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频时的性能。

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 2.4 - 4.3µm，环境温度，光浸

                PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 4.0µm时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频时的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频时的性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰效应。

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 2.9 - 5.5µm，环境温度，光浸

                PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 5.0µm时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频时的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频时的性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰效应。

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 3.0 - 6.7µm，环境温度，光浸

                PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 6µm时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌增透涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰效应。

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 3.0 - 6.9µm，环境温度，光浸

                PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 6µm时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌增透涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰效应。

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 2.0 - 12.0µm，环境温度，多结

                pvm - 10.6 - 1×1 - to39 - nw - 90基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结探测器具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 10.6µm时具有最佳性能，特别适用于作为大型有源区域检测器来检测连续波和低频调制辐射。

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 2.0 - 12.0µm，两级热电冷却，多结

                pvm - 2 - te - 10.6 - 1×1 -亚马孙河wznsear - 70是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏多结探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 10.6µm时具有最佳性能，特别适用于作为大型有源区域检测器来检测连续波和低频调制辐射。3°楔形硒化锌增透涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰效应。

              • HgCdTe (MCT)光伏探测器

              • 2.0 - 12.0µm，环境温度，多结

                pem - 10.6 - 2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48是一种基于半导体光电磁效应的非制冷红外光伏多结HgCdTe探测器——在磁场中光生电子和空穴的空间分离。该器件在λopt = 10.6µm时具有最佳性能，特别适用于作为大有源面积检测器检测连续波和低频调制辐射。该器件安装在专用封装中，内置磁路和SMA信号输出连接器。3°楔形硒化锌抗反射涂层窗口防止不必要的干扰效应和防止污染。

            • 所有HgCdTe (MCT)光伏探测器

                • 光伏

                • 3-8 μm红外光电探测器

                  的PV -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长微米)的特点是红外光伏探测器。

                  该系列易于使用，不需要冷却或散热器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。切断波长可根据要求进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但在偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的软件包。可根据要求提供各种窗口，其他包和连接器。

                  • PV-3:最佳波长λopt: 3.0µm，探测率D*(λopt):≥6.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤350ns
                  • pv - 3.4:最佳波长λopt: 3.4µm，探测率D*(λopt):≥5.0 × 10cm·Hz1/2/W9，时间常数τ:≤260ns
                  • PV-4:最佳波长λopt: 4.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤150ns
                  • PV-5:最佳波长λopt: 5.0µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤120ns
                  • PV-6:最佳波长λopt: 6.0µm，探测率D*(λopt):≥5.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns

                • PV-2TE

                • 2-12 μm红外光电探测器热电冷却

                  的PV-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长以微米为单位)采用两级热电冷却器上的红外光伏探测器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。切断波长可根据要求进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但在偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。

                  • PV-2TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，探测率D*(λopt):≥7.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
                  • pv - 2 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4µm，探测率D*(λopt):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
                  • PV-2TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
                  • PV-2TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，探测率D*(λopt):≥9.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
                  • PV-2TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
                  • PV-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
                  • pv - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns

                • PV-3TE

                • 1-15 μm三级热电冷却光导探测器

                  PC-3TE系列具有三级热电冷却红外光导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。器件应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。3°楔形硒化锌增透涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰效应。

                  • PV-3TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
                  • pv - 3 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4µm，探测率D*(λopt):≥7.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
                  • PV-3TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，探测率D*(λopt):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
                  • PV-3TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
                  • PV-3TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，探测率D*(λopt):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
                  • PV-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
                  • pv - 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.5x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns

                • PV-4TE

                • 1.0 - 16.0微米HgCdTe四级热电冷却光导探测器

                  PC-4TE系列具有基于复杂HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光导探测器，具有最佳性能和稳定性。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。器件应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。低频性能由于1/f噪声而降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。3°楔形硒化锌增透涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰效应。

                  • PV-4TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，探测率D*(λopt):≥1.5x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
                  • pv - 4 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
                  • PV-4TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，探测率D*(λopt):≥6.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
                  • PV-4TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，探测率D*(λopt):≥1.5x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
                  • PV-4TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，探测率D*(λopt):≥5.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
                  • PV-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥4.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
                  • pv - 4 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤25ns

                • 元太

                • 2-8 μm红外光电探测器

                  的元太-λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长以微米为单位)采用红外光伏探测器，光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，用于不同的接收角度和饱和度水平。该系列易于使用，不需要冷却或散热器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。切断波长可根据要求进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但在偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的软件包。可根据要求提供各种窗口，其他包和连接器。

                  未冷却，浸泡:是的

                  • PVI-3:最佳波长λopt: 3.0µm，探测率D*(λopt):≥5.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤350ns
                  • 元太- 3.4:最佳波长λopt: 3.4µm，探测率D*(λopt):≥4.5x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤260ns
                  • PVI-4:最佳波长λopt: 4.0µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤150ns
                  • PVI-5:最佳波长λopt: 5.0µm，探测率D*(λopt):≥9.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤120ns
                  • PVI-6:最佳波长λopt: 6.0µm，探测率D*(λopt):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns

                • PVI-2TE

                • 2-12 μm红外光电探测器热电冷却光学浸没

                  的PVI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长以微米为单位)采用两级热电冷却器上的红外光伏探测器，光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，用于不同的接收角度和饱和水平。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。切断波长可根据要求进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但在偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。

                  两级TE冷却，浸入式:是的

                  • PVI-2TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，探测率D*(λopt):≥5.5x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
                  • 元太- 2 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
                  • PVI-2TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
                  • PVI-2TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，探测率D*(λopt):≥6.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
                  • PVI-2TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
                  • PVI-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
                  • 元太- 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns

                • PVI-3TE

                • 2-12 μm红外光电探测器热电冷却光学浸没

                  的PVI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长以微米为单位)采用三级热电冷却器上的红外光伏探测器，光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，用于不同的接收角度和饱和水平。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。切断波长可根据要求进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但在偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。

                  • PVI-3TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，探测率D*(λopt):≥7.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
                  • 元太- 3 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4µm，探测率D*(λopt):≥5.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
                  • PVI-3TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
                  • PVI-3TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，探测率D*(λopt):≥8.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
                  • PVI-3TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
                  • PVI-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
                  • 元太- 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns

                • PVI-4TE

                • 2-12 μm红外光电探测器热电冷却光学浸没

                  的PVI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长以微米为单位)在四级热电冷却器上采用红外光伏探测器，光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以适应不同的接收角度和饱和水平。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。切断波长可根据要求进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但在偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。

                  • PVI-4TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，探测率D*(λopt):≥8.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
                  • 元太- 4 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4µm，探测率D*(λopt):≥7.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
                  • PVI-4TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，探测率D*(λopt):≥4.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
                  • PVI-4TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
                  • PVI-4TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，探测率D*(λopt):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
                  • PVI-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
                  • PVI-4TE-10:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤25ns

                • PVM

                • 8-11 μm红外光电多结探测器

                  的PVM -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长微米)的特点是红外多结光伏探测器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的软件包。可根据要求提供各种窗口，其他包和连接器

                  • PVM-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥6.5x107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
                  • pvm - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.0x107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.5ns

                • PVM-2TE

                • 8-11 μm红外光电多结探测器热电冷却

                  的PVM-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长微米)是在两级热电冷却器上的红外多结光伏探测器。
                  该器件经过优化，可在λopt、大面积器件上获得最大性能。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。

                  • PVM-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
                  • pvm - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns

                • PVMI

                • 8-11 μm红外光电多结探测器

                  的PVMI -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长微米)以红外多结光浸式光伏探测器为特色。
                  该器件在λopt下进行了最佳性能优化。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的软件包。可根据要求提供各种窗口，其他包和连接器。
                  • PVMI-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
                  • pvmi - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.5ns

                • PVMI-2TE

                • 8-11 μm红外光电多结探测器热电冷却光学浸入

                  的PVMI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长微米)是在两级热电冷却器上的红外多结光浸式光伏探测器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
                  • PVMI-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
                  • pvmi - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns

                • PVMI-3TE

                • 8-11 μm红外光电多结探测器热电冷却光学浸入

                  的PVMI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长微米)采用三级热电冷却器上的红外多结光浸式光伏探测器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
                  • PVMI-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
                  • pvmi - 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns

                • PVMI-4TE

                • 8-11微米红外光伏多结探测器热电冷却光学浸入

                  的PVMI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最优波长微米)是在四级热电冷却器上的红外多结光浸式光伏探测器。

                  该器件在λopt下进行了最佳性能优化。通过应用可变间隙实现最高性能和稳定性HgCdTe半导体，优化的掺杂和复杂的表面处理。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。

                  • PVMI-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，探测率D*(λopt):≥6.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
                  • pvmi - 4 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns

                • PEM

                • PEM系列探测器利用半导体中的光电磁效应工作。这些器件通常在10.6 μm下性能最佳。

                  探测器包括基于的有源元件(HgCd) Te带隙工程与选定的成分和掺杂概况，和微型永磁体产生磁场。的PEM探测器非常适合于10.6 μm辐射的外差检测。无闪烁噪声，可同时用于2 ~ 11 μm光谱范围内的连续波和低频调制辐射的检测。定制设备，如各种尺寸的单元件，象限单元和多元件阵列，各种专用封装和连接器可根据要求提供。标准探测器可在专业PEM包装(与SMA连接器)与wZnSeAR窗户

                  • pem - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.0x107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.2ns

                • PEMI

                • 2.0 - 12.0µm，环境温度，光浸，光电磁

                  pemi - 10.6是一种基于半导体中光电磁效应的光生电子与空穴在磁场中的空间分离的非制冷HgCdTe光伏光浸红外探测器。该器件在10.6µm下具有最佳性能，特别适合作为大型有源区域探测器，用于检测连续波和低频调制辐射。这些装置安装在专门的封装中，内部集成了磁路。3°楔形硒化锌增透涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰效应和防止污染。

                  • pemi - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，探测率D*(λopt):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.2n

              • HgCdTe (MCT)光导探测器

              • 基于光导效应的光导探测器。红外辐射在半导体有源区产生载流子，降低其电阻。通过施加恒定的电压偏置，电阻变化被检测为电流变化。该器件具有接近线性的电流-电压特性。光导体中的电场在整个器件上是恒定的。

                  • 选中的行

                        • PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36

                        • 1.0 - 14.0µm，三级热电冷却，光学浸没

                          PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一种三级热电冷却红外光电导体，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 12µm时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜单片集成。光导检测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。低频性能由于1/f噪声而降低。3°楔形硒化锌增透涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰效应。

                    • 所有HgCdTe (MCT)光导探测器

                        • 个人电脑

                        • 2-11µm红外光电导体

                          的个人电脑-λopt (λopt -微米级最佳波长)特征红外光导探测器。

                          • 材料:未经中华人民共和国交通部
                          • 类型:光电导
                          • 浸没式:Non-immersion
                          • 冷却:没有
                          • 包:BNC T039
                          • 亮点:没有

                          该系列易于使用，不需要冷却或散热器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。截止波长受砷化镓透过率(~0.9µm)的限制。操作光电流需要偏压。低频(< 20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。

                          标准检测器可在TO39或BNC包无窗口。可根据要求提供各种窗口，其他包和连接器。

                          • 电脑:波长:4，探测率:≤2,0x10^9，时间常数:≤12000
                          • 间使:波长:5，探测率:≤1,0x10^9，时间常数:≤5000
                          • 内关:波长:6，探测率:≤3,0x10^8，时间常数:≤500
                          • 中冲:波长:9，探测率:≤2,0x10^7，时间常数:≤10
                          • PC-10 6:波长:10,6，探测率:≤9,0x10^6，时间常数:≤3

                        • PC-2TE

                        • 2-13µm红外光电导体热电冷却

                          • 材料:未经中华人民共和国交通部
                          • 类型:光电导
                          • 浸没式:Non-immersion
                          • 冷却:两级
                          • 包:亚马孙河,TO66

                          的PC-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最优波长以微米为单位)采用两级热电冷却器上的红外光导探测器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。截止波长受砷化镓透过率(~0.9µm)的限制。操作光电流需要偏压。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8包装与wAl2O3或wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。

                          • PC-2TE-4:波长:4，探测度:≤2,0x10^10，窗口:楔式Al₂O₃，时间常数:≤30000
                          • PC-2TE-5:波长:5，探测度:≤1,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤20000
                          • PC-2TE-6:波长:6，探测率:≤3,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4000
                          • PC-2TE-9:波长:9，探测率:≤4,5 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤40
                          • PC-2TE-10 6:波长:10,6，探测率:≤1,4 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤10
                          • PC-2TE-12:波长:12，探测率:≤4,5 × 10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤3
                          • PC-2TE-13:波长:13，探测率:≤2,3 × 10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤2

                        • PC-3TE

                        • 2-13µm红外光电导体热电冷却

                          • 材料:未经中华人民共和国交通部
                          • 类型:光电导
                          • 浸没式:Non-immersion
                          • 冷却:三级
                          • 包:亚马孙河,TO66
                          • 亮点:楔形ZnSe AR涂层

                          的PC-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长以微米为单位)采用三级热电冷却器上的红外光导探测器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。截止波长受砷化镓透过率(~ 0.9µm)的限制。操作光电流需要偏压。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8包与wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。

                          • PC-3TE-9:波长:9，探测率:≤1,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤60
                          • PC-3TE-10 6:波长:10,6，探测率:≤2,5 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤20
                          • PC-3TE-12:波长:12，探测率:≤3,0x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤5
                          • PC-3TE-13:波长:13，探测率:≤4,5 × 10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4

                        • PC-4TE

                        • 2-14µm红外光电导体热电冷却

                          • 材料:未经中华人民共和国交通部
                          • 类型:光电导
                          • 浸没式:Non-immersion
                          • 冷却:四级
                          • 包:亚马孙河,TO66
                          • 亮点:楔形ZnSe AR涂层

                          的PC-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长以微米为单位)在四级热电冷却器上配备红外光导探测器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。截止波长受砷化镓透过率(~ 0.9µm)的限制。操作光电流需要偏压。由于1/f噪声降低了低频(kHz)的性能。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8封装wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。

                          • PC-4TE-9:波长:9，探测率:≤2,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤80
                          • PC-4TE-10 6:波长:10,6，探测率:≤3,5 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤30
                          • PC-4TE-12:波长:12，探测率:≤2,0x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤7
                          • PC-4TE-13:波长:13，探测率:≤1,0x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤6
                          • PC-4TE-14:波长:14，探测率:≤6,0x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤5

                        • 一种总线标准

                        • 2-11µm红外光电导体光学浸没

                          • 材料:未经中华人民共和国交通部
                          • 类型:光电导
                          • 浸没式:浸
                          • 冷却:没有
                          • 包:BNC T039
                          • 亮点:没有

                          的一种总线标准-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长以微米为单位)具有红外光导探测器，光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，可用于不同的接受角度和饱和度水平。该系列易于使用，不需要冷却或散热器。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。截止波长受砷化镓透过率(~ 0.9µm)的限制。操作光电流需要偏压。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。标准检测器可在TO39或BNC包无窗口。可根据要求提供各种窗口，其他包和连接器。

                          • PCI-4:波长:4，探测率:≤6,0x10^9，时间常数:≤12000
                          • PCI-5:波长:5，探测率:≤4,0x10^9，时间常数:≤5000
                          • PCI-6:波长:6，探测率:≤1,0x10^8，时间常数:≤500
                          • PCI-9:波长:9，探测率:≤1,0x10^8，时间常数:≤10
                          • PCI-10 6:波长:10、6，探测率:≤8,0x10^7，时间常数:≤3

                        • PCI-2TE

                        • 2-13微米红外光电导体热电冷却光学浸没

                          • 材料:未经中华人民共和国交通部
                          • 类型:光电导
                          • 浸没式:浸
                          • 冷却:两级
                          • 包:亚马孙河,TO66

                          的PCI-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长以微米为单位)具有两级热电冷却器红外光导探测器，光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，用于不同的接受角度和饱和水平。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。截止波长受砷化镓透过率(~ 0.9µm)的限制。操作光电流需要偏压。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8包装与wAl2O3或wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。

                          • PC-2TE-4:波长:4，探测度:≤4,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤30000
                          • PC-2TE-5:波长:5，探测度:≤2,0x10^10，窗口:楔式Al₂O₃，时间常数:≤20000
                          • PC-2TE-6:波长:6，探测率:≤1,0x10^10，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4000
                          • PC-2TE-9:波长:9，探测率:≤4,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤40
                          • PC-2TE-10 6:波长:10、6，探测率:≤1,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤10
                          • PC-2TE-12:波长:12，探测率:≤4,5 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤3
                          • PC-2TE-13:波长:13，探测率:≤2,3 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤2

                        • PCI-3TE

                        • 2-13微米红外光电导体热电冷却光学浸没

                          • 材料:未经中华人民共和国交通部
                          • 类型:光电导
                          • 浸没式:浸
                          • 冷却:三级
                          • 包:亚马孙河,TO66
                          • 亮点:楔形ZnSe AR涂层

                          的PCI-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长以微米为单位)的特点是红外光导探测器在三级热电冷却器上，光学浸入到高折射率的砷化镓超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以适应不同的接收角度和饱和水平。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。截止波长受砷化镓透过率(~ 0.9µm)的限制。操作光电流需要偏压。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8封装wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。

                          • PCI-3TE-9:波长:9，探测率:≤6,2 × 10^9，时间常数:≤60
                          • PCI-3TE-10 6:波长:10,6，探测率:≤2,5 × 10^9，时间常数:≤20
                          • PCI-3TE-12:波长:12，探测率:≤9,0x10^8，时间常数:≤5
                          • PCI-3TE-13:波长:13，探测率:≤4,5 × 10^8，时间常数:≤4

                        • PCI-4TE

                        • 2-14微米红外光电导体热电冷却光学浸没

                          • 材料:未经中华人民共和国交通部
                          • 类型:光电导
                          • 浸没式:浸
                          • 冷却:四级
                          • 包:亚马孙河,TO66
                          • 亮点:楔形ZnSe AR涂层

                          的PCI-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长以微米为单位)的特点是红外光导探测器在四级热电冷却器上，光学浸入到高折射率的GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接收角度和饱和水平。该器件在λopt下进行了最佳性能优化。截止波长受砷化镓透过率(~ 0.9µm)的限制。操作光电流需要偏压。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。定制设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8封装wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。

                          • PCI-4TE-9:波长:9，探测率:≤1,0x10^10，时间常数:≤80
                          • PCI-4TE-10 6:波长:10、6，探测率:≤3,0x10^9，时间常数:≤30
                          • PCI-4TE-12:波长:12，探测率:≤2,0x10^9，时间常数:≤7
                          • PCI-4TE-13:波长:13，探测率:≤1,0x10^9，时间常数:≤6
                          • PCI-4TE-14:波长:14，探测率:≤3,0x10^8，时间常数:≤5

                      • InAs/InAsSb光伏探测器

                      • 光电探测器(光电二极管)，其半导体层由InAs或InAsSb材料制成。被吸收的光子产生电荷载流子，这些载流子在二极管处被收集，具有复杂的电流电压特性。该器件既可以在无闪烁零偏下工作，也可以在反向电压下工作。这些探测器不含镉和汞。因此，探测器符合RoHS指令，可用于消费市场。

                          • PVA

                          • 2.0 - 5.5µm，环境温度

                            PVA是一种基于InAs合金的非制冷红外光伏探测器。该设备温度稳定，最高可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。

                            特点:

                            • 在2.0- 5.5µm光谱范围内具有高性能
                            • 环境温度运行
                            • 温度稳定高达300°C
                            • 符合RoHS指令
                            • 不需要偏见
                            • 无1/f噪声

                            模型:

                            • PVA-3冷却:非冷却，浸泡:No，封装:TO39，时间常数τ≤20ns
                            • PVA-5冷却:非冷却，浸泡:No，封装:TO39，时间常数τ≤60ns

                          • PVA-2TE

                          • 2.0 - 5.5µm，两级热电冷却

                            PVA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电冷却红外光伏探测器。该设备温度稳定，最高可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰效应。

                            特点:

                            • 在2.0- 5.5µm光谱范围内具有高性能
                            • 环境温度运行
                            • 温度稳定高达300°C
                            • 符合RoHS指令
                            • 不需要偏见
                            • 无1/f噪声

                            模型:

                            • PVA-2TE-3两级TE冷却，浸没:No，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
                            • PVA-2TE-5两级TE冷却，浸没:No，封装:TO8，时间常数τ≤15ns

                          • PVIA

                          • 2.0 - 5.5µm，环境温度，光浸

                            PVIA-3是一种基于InAs合金的非制冷红外光伏探测器，为了提高器件的性能，采用了光浸没技术。该探测器温度稳定，可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。

                            特点:

                            • 在2.0- 5.5µm光谱范围内具有高性能
                            • 两级热电冷却
                            • 温度稳定高达300°C
                            • 符合RoHS指令
                            • 应用超半浸没微透镜技术
                            • 不需要偏见
                            • 无1/f噪声

                            模型:

                            • PVA-3冷却:非冷却，浸泡:No，封装:TO39，时间常数τ≤20ns
                            • PVA-5冷却:非冷却，浸泡:No，封装:TO39，时间常数τ≤60ns
                            • PVA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸没:No，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
                            • PVA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸没:No，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
                            • PVIA-3冷却:非冷却，浸泡:是的，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
                            • PVIA-5冷却:非冷却，浸泡:是的，封装:TO39，时间常数τ≤15 ns
                            • PVIA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:是的，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
                            • PVIA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:是的，封装:TO8，时间常数τ≤5ns

                          • PVIA-2TE

                          • 2.0 - 3.4µm，两级热电冷却

                            PVIA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电冷却红外光伏探测器，为了提高器件的性能，光学浸入。该探测器温度稳定，可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰效应。

                            特点:

                            • 在2.0- 5.5µm光谱范围内具有高性能
                            • 两级热电冷却
                            • 温度稳定高达300°C
                            • 符合RoHS指令
                            • 应用超半浸没微透镜技术
                            • 不需要偏见
                            • 无1/f噪声

                            模型:

                            • PVA-3冷却:非冷却，浸泡:No，封装:TO39，时间常数τ≤20ns
                            • PVA-5冷却:非冷却，浸泡:No，封装:TO39，时间常数τ≤60ns
                            • PVA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸没:No，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
                            • PVA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸没:No，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
                            • PVIA-3冷却:非冷却，浸泡:是的，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
                            • PVIA-5冷却:非冷却，浸泡:是的，封装:TO39，时间常数τ≤15 ns
                            • PVIA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:是的，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
                            • PVIA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:是的，封装:TO8，时间常数τ≤5ns

                        • HgCdTe (MCT)阵列

                        • 活性表面由两个以上元素组成的红外探测器。该产品包括基于光电二极管和光电导体的象限几何探测器。非常适合国防和安全应用，以及XY或差分测量。

                            • PCQ-10 6

                              • 材料:未经中华人民共和国交通部
                              • 类型:象限几何
                              • 浸没式:Non-immersion

                              2.0 - 12.0µm，环境温度，多结象限

                              pvmq - 10.6是一种基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器，具有最佳的性能和稳定性。象限探测器由四个独立的活动元件组成，这些元件排列在一个象限几何中。该器件在10.6µm处进行了最佳性能优化。PVMQ探测器的主要应用是激光束轮廓和定位。

                              • 冷却:没有
                              • 波长:10日,6
                              • 包:亚马孙河
                              • 亮点:没有
                              • 探测能力:≥9,0 x10 ^ 6
                              • 时间常数:≤5

                            • PVMQ-10 6

                              • 材料:未经中华人民共和国交通部
                              • 类型:象限几何
                              • 浸没式:Non-immersion

                              1.0 - 12.0µm，环境温度，象限

                              pcq - 10.6是基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光导象限探测器，具有最佳的性能和稳定性。象限探测器由四个独立的活动元件组成，这些元件排列在一个象限几何中。该器件在10.6µm处进行了最佳性能优化。检测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。低频性能由于1/f噪声而降低。PCQ探测器的主要应用是激光束轮廓和定位。

                              • 冷却:没有
                              • 波长:10日,6
                              • 包:亚马孙河
                              • 亮点:没有
                              • 探测能力:≥1,0 x10 ^ 7
                              • 时间常数:≤1,5

                          • 专用的电子产品

                          • 我们还为我们的探测器提供专用电子设备。前置放大器，TEC控制器，电源等配件。

                              • 选中的行

                              • 红外检测模块将红外光电探测器、信号处理电子、光学、散热系统等组件集成在同一个封装中。产品在高功能的基础上选择，适用于许多应用，如泄漏检测，气体分析，快速移动物体的温度控制。集成的其他优点是提高高频(HF)性能，输出信号标准化和小型化。选定的产品线保证一个短的订单履行日期和有效的价格。

                                  • 嗯系列

                                  • 探测器，前置放大器和TEC控制器集成在紧凑的密封封装中，具有重要的优点:小型化，更好的高频性能，抗电磁干扰(EMI)，提高可靠性，易于使用和降低成本。

                                    通用模块系列有三种型号:

                                  • 优化后的工作光谱范围为3um至6.7 um，频率带宽为DC至1mhz，光伏探测器浸光。
                                  • 优化后的光电多结探测器可在2um至12um的光谱范围内工作，频率带宽从DC到100mhz
                                  • 优化为在相同的光谱范围和相同的频率带宽下工作，但使用不带浸没微透镜的光伏多结探测器。

                                    • 输出信号为标准电压，阻抗为50欧姆(50Ω)。额外的直流输出可作为标准。

                                  • LabM系列

                                  • 可编程检测模块使控制许多参数，如带宽和增益，即使在正常工作。

                                    这为测量系统的设计者开辟了全新的可能性。

                                    在全模拟输入电路中，使用许多开关元件，甚至使用可变的数字控制电容来补偿跨阻输入级。

                                    内部架构类似于标准检测模块。主要区别在于大多数内部功能块是可配置的。

                                    为了提供有关模块状态的信息，它配备了偏置和直流偏置监测电路。可以建立具有自适应增益或过载保护的系统。可调带宽可以帮助实现各种信号类型的最佳噪声性能。

                                  • 嗯系列

                                  • 许多应用需要高时间分辨率或高频率带宽的光学检测。

                                    针对这些应用，VIGO开发了超高速检测模块系列。

                                    在电子学和力学方面，都需要采用特殊的设计。该系统旨在支持高速信号的传播，将探测器安装在尽可能靠近PCB板和输入电路的外壳上。制造过程需要用特定的检测器对电路进行微调。

                                    此外，它有直流显示器。这是一个直流耦合信号，直接从第一级前置放大器。应该考虑直流监视器输出处的1 VDC偏移。

                                    此输出可用于:

                                    • 由探测器测量的平均光功率，
                                    • 光电探测器暗电流监测。

                                    UHSM是目前市场上速度最快的长波红外检测模块系列之一。

                                  • MicroM系列

                                  • MicroM是一款微尺寸检测模块，采用非制冷光伏多结检测器。它的工作光谱范围为2um至12um，频率带宽为DC至10mhz

                                    它易于在空间有限的长波红外测量系统中组装。

                                • 可配置的线

                                • 全系列前置放大器专用于每种类型的VIGO系统红外探测器。模块的可配置线可以选择检测模块的有源区域、前置放大器类型和带宽。这使得使模块适应您自己的应用程序的需要成为可能。

                                    • 航

                                    • “一体化”

                                      互阻抗前置放大器

                                      航是新一代跨阻抗、交流或直流耦合前置放大器。它被设计用于操作有偏或无偏的VIGO探测器。AIP是“一体化”设备-前置放大器与风扇和热电冷却器控制器集成在紧凑的外壳中。它是非常方便和用户友好的设备，因此可以很容易地在各种应用中使用。

                                    • 工厂检验计划

                                    • 快

                                      互阻抗前置放大器

                                      工厂检验计划是一系列高速，跨阻抗，交流耦合前置放大器，旨在与偏置TE冷却VIGO探测器一起工作。快速前置放大器可实现精确的I-V转换，检测器偏置高达800 mV，同时保持紧凑的尺寸并保持低电流噪声。FIP配有风扇，不需要额外散热。适用于带宽要求较宽的应用场合。额外的直流输出是可选的

                                      特点:

                                      • 紧凑的尺寸
                                      • 带宽高达1ghz
                                      • 精确的I-V转换
                                      • 探测器偏置可能性高达+800 mV
                                      • 低电流噪声
                                      • 配合高阻检测器
                                      • 有效冷却高达4级TE冷却器

                                    • 米兰理工大学管理学院

                                    • 标准

                                      互阻抗前置放大器

                                      米兰理工大学管理学院是一系列中等尺寸的跨阻，直流或交流耦合前置放大器，打算与偏置或无偏置的VIGO检测器一起工作。MIP配备了风扇，不需要任何额外的外部散热器。它是使用最方便的前置放大器之一，工作起来非常方便。

                                      特点:

                                      • 紧凑的尺寸
                                      • 高信噪比
                                      • 带宽可达250mhz
                                      • 专用于操作2级，3级和4级TE冷却检测器
                                      • 根据要求定制配置
                                      • 可提供其他配件

                                    • 皮普

                                    • 可编程的

                                      互阻抗前置放大器

                                      皮普是一系列可编程的“智能”前置放大器。由于现代化的内部配置，它提供了极大的灵活性，结合优越的信号参数和高可靠性。内置电压监视器允许检查和优化工作条件(电源电压，检测器偏置电压，一级和末级输出电压偏移等)。
                                      还可以改变增益，耦合(AC/DC)，优化第一级透阻，手动或自动抑制电压偏移。
                                      优化后的参数存储在内部EEPROM存储器中，并在通电后自动加载。可以随时重置为默认设置。对于检测模块，安全检测器的偏置调整默认为阻塞。用户可以在订购时请求启用此选项。
                                      为了正确操作PTCC-01 TEC需要控制器。

                                      特点:

                                      • 紧凑的尺寸
                                      • 高信噪比
                                      • 专用于2级，3级和4级TE冷却或非冷却检测器的操作
                                      • 用户可设置参数:
                                        • 输出电压偏移
                                        • 增益(40db范围)
                                        • 带宽:150khz、1.5 MHz、20mhz、1.5 MHz、15mhz、200mhz
                                        • AC / DC耦合
                                        • 检测器参数(在某些情况下，有限制)
                                      • 可编程模块和可编程控制器是可互换的
                                      • 高度灵活的配置允许用户调整模块以适应各种系统参数
                                      • 可提供其他配件

                                    • SIP-TO8

                                    • 体积小，适用于TE冷却探测器

                                      互阻抗前置放大器

                                      SIP-TO8是一系列超小型跨阻、交流或直流耦合前置放大器。它被设计为与偏置或非偏置检测器一起操作。它与TO8封装的热电冷却探测器兼容。SIP-TO8专用于OEM应用，需要外部散热器(MHS-2)。有可能调整增益(设备的频率带宽高达100兆赫)。

                                      特点:

                                      • 尺寸非常小
                                      • 高信噪比
                                      • 带宽可达250mhz
                                      • 专用于操作2级，3级和4级TE冷却检测器
                                      • 有偏和无偏检测器兼容
                                      • 增益可调(带宽高达100 MHz)
                                      • 完全防止超过电源电压和反转电源极性
                                      • 根据要求定制修改
                                      • 可提供其他配件

                                    • SIP-TO39

                                    • 体积小，适用于TE冷却探测器

                                      互阻抗前置放大器

                                      SIP-TO038是一系列超小型跨阻、交流或直流耦合前置放大器。它被设计为与偏置或非偏置检测器一起操作。它与TO39封装的VIGO热电冷却探测器兼容。SIP-TO39专用于OEM应用，不需要外部散热器。有可能调整增益(设备的频率带宽高达100兆赫)。

                                      特点:

                                      • 尺寸非常小
                                      • 高信噪比
                                      • 带宽可达250mhz
                                      • 专用于操作2级，3级和4级TE冷却检测器
                                      • 有偏和无偏检测器兼容
                                      • 增益可调(带宽高达100 MHz)
                                      • 完全防止超过电源电压和反转电源极性
                                      • 根据要求定制修改
                                      • 可提供其他配件

                                  • 配件

                                  • 我们为我们的产品提供所有必要的配件。电气配件，如热电冷却器控制器和前置放大器电源。机械配件，如探测器和红外模块支架，基础安装系统和电缆专用于我们的产品。

                                      • 前置放大器电源PPS-03

                                      • 通用

                                        PPS-03是一款体积小，易于使用的通用前置放大器电源，设计用于VIGO检测模块microM-10.6和其他包含TO39封装的非冷却检测器和前置放大器SIP-TO39的设备。

                                        的PPS-03前置放大器电源设计用于提供VIGO系统红外检测模块，包括非冷却红外探测器。

                                        特点:

                                        • 专用于提供非冷却探测器
                                        • 尺寸非常小
                                        • 低成本

                                      • 热电冷却器控制器PTCC-01

                                      • 可编程的

                                        PTCC-01是一系列可编程，精密低噪音热电冷却器控制器。它们设计用于VIGO红外检测模块:LabM-I-6, LabM-I-10.6和其他包含TE冷却检测器和前置放大器的设备:PIP, MIP, FIP, SIP-TO8。

                                        可用版本:

                                        PTCC-01-OEM

                                        • TEC控制器和前置放大器电源无外壳
                                        • 可配置的PC软件可在网页上
                                        • 状态LED指示灯和状态/数据连接器

                                        PTCC-01-BAS

                                        • TEC控制器和前置放大器电源封装在一个小尺寸的外壳中
                                        • 可配置的PC软件可在网页上
                                        • 状态LED指示灯

                                        PTCC-01-ADV

                                        • TEC控制器和前置放大器电源封装在一个小尺寸的外壳中
                                        • 可配置的内置功能键或PC软件可在网页上
                                        • 状态指示灯

                                        特点:

                                        • 低成本
                                        • 易于使用
                                        • 尺寸非常小
                                        • 低功耗
                                        • 高稳定性和精度
                                        • 专用于与2级，3级和4级TE冷却检测器集成的前置放大器的操作
                                        • 兼容各种型号的可编程前置放大器PIP;用户可以交换模块和控制器
                                        • 现代建筑与数字执行PID温度控制
                                        • 电流/电压/温度监视器可与PC程序
                                        • 过流、过压、过热保护
                                        • 分离接地和滤波，以改善EMC
                                        • 提供固件升级选项
                                        • 提供适当的探测器冷却
                                        • 包括前置放大器电源

                                    • 应用程序

                                          • 用于安全和国防应用的红外探测器

                                          • 该装置将用于搜索可能发生爆炸、毒气或恐怖袭击的地方。接下来，检测系统将通知可能存在的风险或威胁

                                          • 用于铁路运输安全的红外探测器

                                          • 安全是铁路运输最重要的方面。然而，每年至少发生几起严重的铁路交通事故。

                                          • 塑料分选采用中红外线性探测器阵列

                                          • 大规模生产塑料制品的有效方法的发展已经彻底改变了许多行业，但是大规模回收方法呢?

                                          • 红外激光气体泄漏检测

                                          • VIGO系统开发了一种独特的制造仪器技术，用于快速方便地检测1 - 16 μm红外辐射。

                                          • 医疗传感器

                                          • 有商业上可用的设备，利用VIGO系统开发的技术。那些是用来分析呼出空气的仪器。

                                          • 工业红外传感器

                                          • 该探测器用于监测化工、炼油、发电、食品和气溶胶生产行业的过程气体。

                                          • 汽车传感器

                                          • VIGO系统探测器无与伦比的速度和灵敏度使其在响应时间关系到数百人安全的应用中非常有用。

                                          • 环境传感器

                                          • 波兰产品已经在监测大气成分的研究中心、工厂和发电厂的烟囱或无人气象气球上表现良好。

                                        • 外延晶圆:我们充满激情地服务于III-V组半导体市场。

                                        • 我们制造高质量的III-V外延结构，用于复杂的电子产品，如激光器，光电探测器，晶体管，光伏电池和其他设备。作为市场上为数不多的公司之一，我们提供各种高质量的外延晶圆，既可以大批量生产，也可以小批量生产。

                                            • 基于GaAs的产品

                                            • AlGaAs /砷化镓:

                                              • QW边缘发射激光器
                                              • VCSELs
                                              • fet, hemt，肖特基二极管
                                              • 变容器

                                              GaAsP/GaAs:应变QW边缘发射激光器

                                              InGaAsP/GaAs: 808nm QW激光器

                                              InGaAs/AlGaAs/GaAs:应变QW激光器

                                              InAs/GaAs: QD激光器

                                              AlGaAs/GaAs:无源波导

                                              按规格制造


                                            • 基于InP的产品

                                            • InGaAsP/InP:应变或匹配的QW边缘发射激光器和soa 1300 - 1600nm

                                              InGaAs/InP: QW边缘发射激光器

                                              InP: VCSEL结构

                                              InAlGaAs/InP:边缘发射和VCSEL结构

                                              InGaAsP/InP:无源设备

                                              InGaAs:光电探测器

                                              InAlAs InGaAs /输入:HEMTs

                                              按规格制造