维戈公司的非冷却红外光子探测器

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VIGO系统公司是世界领先的中长波长范围标准和定制的高科技非冷却光电探测器制造商。八十年代，在军事技术学院，哈布教授领导的团队。Joseph Piotrowski开发了一种独特的技术，用于生产无需低温冷却的探测器，然后将其应用到一家新成立的公司。八十年代，在军事技术学院，哈布教授领导的团队。Joseph Piotrowski开发了一种独特的技术，用于生产无需低温冷却的探测器，然后将其应用到一家新成立的公司。
VIGO生产的探测器用于各个领域，如:
- 工业-激光功率控制和校准;
- 国防和安全——智能弹药、早期预警系统;
- 环保——气体分析，实时水质控制;
- 医疗保健——无创血液分析;
- 传输——快速移动物体中温度分布的分析;
- 研发-精密无损光谱学。

产品组合

红外探测器
基于HgCdTe材料的探测器，在所有发现的适用于红外探测的材料中提供了最高的性能。我们的探测器优化了MWIR (3-8μm)和LWIR (8-16μm)光谱范围。它是为工业和环境保护制作气体传感器的完美选择。它们是CRDS, TDLAS或FTIR光谱的理想解决方案。非常高的检测参数和运行速度使其成为泄漏检测、运输安全或防御应用等应用的理想选择。我们还提供基于InAs或InAsSb的探测器，符合RoHS标准，适合消费市场。

HgCdTe光伏探测器
光伏探测器(光电二极管)是具有一个(PV)或多个(PVM)，异质结或异质结的半导体结构。被吸收的光子产生的载流子被收集在接触处，从而产生外部光电流。光电二极管具有复杂的电流电压特性。该器件可以在无闪烁零偏置或反向电压下运行。反向偏置电压常用于提高响应度、差分电阻、降低抛射噪声、提高高频性能和增加动态范围。

选中的行

- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 5.5 μ m，环境温度，光学浸没
  PVI-5-1×1-TO39-NW-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光伏探测器，性能和稳定性最佳。该器件在λopt = 5 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜进行了单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 4.5µm，环境温度，光学浸没
  PVI-4-1×1-TO39-NW-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光伏探测器，性能和稳定性最佳。该器件经过优化，可在4 μ m处获得最大性能。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜进行了单片集成。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 4.3µm，环境温度，光学浸没
  PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 4.0 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜进行了单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰效应。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.9 - 5.5 μ m，环境温度，光学浸没
  PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 5.0 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜进行了单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰效应。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 3.0 - 6.7µm，环境温度，光学浸没
  PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 6 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜进行了单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌减反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 3.0 - 6.9 μ m，环境温度，光学浸没
  PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 6 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜进行了单片集成。反向偏置Vb可显著提高响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌减反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结
  pvm - 10.6 - 1×1 - to39 - nw - 90是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光伏多结探测器，性能和稳定性最佳。该器件设计为λopt = 10.6 μ m时的最大性能，特别适用于检测CW和低频调制辐射的大有源面积探测器。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，两级热电冷却，多结
  pvm - 2 - te - 10.6 - 1×1 -亚马孙河wznsear - 70是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏多结探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件设计为λopt = 10.6 μ m时的最大性能，特别适用于检测CW和低频调制辐射的大有源面积探测器。3°楔形硒化锌减反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结
  pem - 10.6 - 2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48非制冷红外光伏多结HgCdTe探测器是基于半导体中的光电磁效应——光生电子与空穴在磁场中的空间分离。该器件设计为λopt = 10.6 μ m时的最大性能，特别适用于检测CW和低频调制辐射的大有源面积探测器。该设备安装在专门的封装中，内置磁路和SMA信号输出连接器。3°楔形硒化锌减反射涂层窗口防止不必要的干扰影响，防止污染。

所有HgCdTe (MCT)光伏探测器

- 光伏
- - 更多信息
  - 数据表
- 3-8 μm红外光伏探测器
  的PV -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有红外光伏探测器。
  本系列使用方便，不需要冷却或散热器。优化器件的最大性能在λopt。可根据要求优化切割波长。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的包。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PV-3:最佳波长λopt: 3.0µm，检测度D*(λopt):≥6.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤350ns
  - pv - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μ m，检测度D*(λopt):≥5.0 × 10cm·Hz1/2/W9，时间常数τ:≤260ns
  - PV-4:最佳波长λopt: 4.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤150ns
  - PV-5:最佳波长λopt: 5.0µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤120ns
  - PV-6:最佳波长λopt: 6.0µm，检测度D*(λopt):≥5.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
- PV-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光伏探测器热电冷却
  的PV-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用两级热电冷却器红外光伏探测器。优化器件的最大性能在λopt。可根据要求优化切割波长。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  - PV-2TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，检测度D*(λopt):≥7.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 2 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μ m，检测度D*(λopt):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-2TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PV-2TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，检测度D*(λopt):≥9.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PV-2TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PV-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 1-15 μm三级热电冷却光导探测器
  PC-3TE系列具有三级热电冷却红外光导探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。优化器件的最大性能在λopt。器件应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形硒化锌减反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
  - PV-3TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 3 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μ m，检测度D*(λopt):≥7.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-3TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，检测度D*(λopt):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PV-3TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PV-3TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，检测度D*(λopt):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.5x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PV-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 1.0 - 16.0 μ m HgCdTe四级热电冷却光导探测器
  PC-4TE系列具有基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光导探测器，具有最佳的性能和稳定性。优化器件的最大性能在λopt。器件应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形硒化锌减反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
  - PV-4TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，检测度D*(λopt):≥1.5x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 4 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μ m，检测度D*(λopt):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-4TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，检测度D*(λopt):≥6.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PV-4TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，检测度D*(λopt):≥1.5x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PV-4TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，检测度D*(λopt):≥5.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥4.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 4 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤25ns
- 元太
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-8 μm红外光伏探测器光学浸没
  的元太-λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有红外光伏探测器，光学浸泡在高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。本系列使用方便，不需要冷却或散热器。优化器件的最大性能在λopt。可根据要求优化切割波长。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的包。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  未冷却、浸入式:是的
  - PVI-3:最佳波长λopt: 3.0µm，检测度D*(λopt):≥5.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤350ns
  - 元太- 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μ m，检测度D*(λopt):≥4.5x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤260ns
  - PVI-4:最佳波长λopt: 4.0µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤150ns
  - PVI-5:最佳波长λopt: 5.0µm，检测度D*(λopt):≥9.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤120ns
  - PVI-6:最佳波长λopt: 6.0µm，检测度D*(λopt):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
- PVI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光学浸没
  的PVI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用两级热电冷却器上的红外光伏探测器，光学浸泡到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以满足不同的接受角度和饱和水平。优化器件的最大性能在λopt。可根据要求优化切割波长。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  两级TE冷却，浸泡:是的
  - PVI-2TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，检测度D*(λopt):≥5.5x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 2 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μ m，检测度D*(λopt):≥3.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-2TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PVI-2TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，检测度D*(λopt):≥6.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PVI-2TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - 元太- 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测度D*(λopt):≥1.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PVI-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光学浸没
  的PVI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光伏探测器在三级热电冷却器上，光学浸泡到高折射率GaAs超半球面(标准)或半球面或任何中间透镜(可选)，以满足不同的接受角度和饱和水平。优化器件的最大性能在λopt。可根据要求优化切割波长。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  - PVI-3TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，检测度D*(λopt):≥7.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 3 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μ m，检测度D*(λopt):≥5.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-3TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PVI-3TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，检测度D*(λopt):≥8.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PVI-3TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - 元太- 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PVI-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光学浸没
  的PVI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光伏探测器在四级热电冷却器，光学浸泡到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。优化器件的最大性能在λopt。可根据要求优化切割波长。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围。它还可以提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  - PVI-4TE-3:最佳波长λopt: 3.0µm，检测度D*(λopt):≥8.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 4 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μ m，检测度D*(λopt):≥7.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-4TE-4:最佳波长λopt: 4.0µm，检测度D*(λopt):≥4.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PVI-4TE-5:最佳波长λopt: 5.0µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PVI-4TE-6:最佳波长λopt: 6.0µm，检测度D*(λopt):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - PVI-4TE-10:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤25ns
- PVM
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器
  的PVM -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外多结光伏探测器。优化器件的最大性能在λopt。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的包。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器
  - PVM-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥6.5x107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvm - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 107cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤1.5ns
- PVM-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却
  的PVM-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用两级热电冷却器上的红外多结光伏探测器。
  该器件优化的最大性能在λopt，大面积设备。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包，窗口和连接器也可用。
  - PVM-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvm - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns
- PVMI
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器光学浸入
  的PVMI -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外多结光浸光伏探测器。
  优化器件的最大性能在λopt。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的包。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PVMI-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤1.5ns
- PVMI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没
  的PVMI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用两级热电冷却器上的红外多结光浸光伏探测器。优化器件的最大性能在λopt。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  - PVMI-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns
- PVMI-3TE
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  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没
  的PVMI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外多结光浸光伏探测器在三级热电冷却器。优化器件的最大性能在λopt。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  - PVMI-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10,6µm，检测度D*(λopt):≥1.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns
- PVMI-4TE
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  - 数据表
- 8-11微米红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没
  的PVMI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外多结光浸光伏探测器在四级热电冷却器上。
  优化器件的最大性能在λopt。通过应用可变间隙实现最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  - PVMI-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0µm，检测度D*(λopt):≥6.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 4 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns
- PEM
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- PEM系列探测器作用于半导体中的光电电磁效应。器件通常在10.6 μm处进行优化，以获得最佳性能。
  该探测器包括有源元件(HgCd) Te带隙设计与选择的成分和掺杂剖面，和微型永磁体，以产生磁场。的PEM探测器非常适合于10.6 μm辐射的外差探测。它们没有闪烁噪声，可同时用于探测整个2 ~ 11 μm光谱范围内的连续波和低频调制辐射。定制设备，如各种尺寸的单个元件，象限单元和多元件阵列，各种专门的包和连接器可根据要求提供。标准探测器可在专业PEM包(与SMA连接器)与wZnSeAR窗户
  - pem - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 107cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤1.2ns
- PEMI
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  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，环境温度，光浸没，光电磁
  pemi - 10.6是一种非冷却HgCdTe光伏光浸红外探测器，它是基于光电磁效应在半导体空间分离中产生的光电子和空穴在磁场中的作用。该器件设计为10.6 μ m的最大性能，特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大有源面积探测器。这些设备安装在专门的封装中，内部包含磁路。3°楔形硒化锌减反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰效应，并防止污染。
  - pemi - 10.6:最佳波长λopt: 10.6µm，检测度D*(λopt):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤1.2n

HgCdTe (MCT)光导探测器
基于光导效应的光导探测器。红外辐射在半导体有源区产生载流子，降低半导体电阻。通过施加恒定的电压偏置，电阻变化被感知为电流变化。该器件具有近似线性的电流-电压特性。光导体中的电场在整个器件上是恒定的。
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选中的行

- - PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36
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    - 数据表
  - 1.0 - 14.0µm，三级热电冷却，光浸
    PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一种三级热电冷却红外光电导体，基于复杂的HgCdTe异质结构的最佳性能和稳定性。该器件在λopt = 12µm时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形砷化镓微透镜进行了单片集成。光导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。3°楔形硒化锌减反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。

所有HgCdTe (MCT)光导探测器

- 个人电脑
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- 2-11 μ m红外光电导体
  的个人电脑-λopt (λopt -最佳波长微米)特征红外光导探测器。
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:没有
  - 包:BNC T039
  - 亮点:没有
  本系列使用方便，不需要冷却或散热器。优化器件的最大性能在λopt。切割波长受GaAs透过率(~0.9 μ m)的限制。需要偏置来操作光电流。低频(< 20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。
  标准探测器可在TO39或BNC包中使用，不带窗口。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - 电脑:波长:4，探测率:≤2,0x10^9，时间常数:≤12000
  - 间使:波长:5，检测率:≤1,0x10^9，时间常数:≤5000
  - 内关:波长:6，检测:≤3,0x10^8，时间常数:≤500
  - 中冲:波长:9，检测:≤2,0x10^7，时间常数:≤10
  - PC-10 6:波长:10,6，检测:≤9,0x10^6，时间常数:≤3
- PC-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光电导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:两级
  - 包:亚马孙河,TO66
  的PC-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用两级热电冷却器上的红外光导探测器。优化器件的最大性能在λopt。切割波长受GaAs透过率(~0.9 μ m)的限制。需要偏置来操作光电流。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器采用TO8封装，带有wAl2O3或wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。
  - PC-2TE-4:波长:4，检测率:≤2,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤30000
  - PC-2TE-5:波长:5，检测率:≤1,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤20000
  - PC-2TE-6:波长:6，检测率:≤3,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4000
  - PC-2TE-9:波长:9，检测率:≤4,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤40
  - PC-2TE-10 6:波长:10,6，探测率:≤1,4 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤10
  - PC-2TE-12:波长:12，检测率:≤4,5x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤3
  - PC-2TE-13:波长:13，检测率:≤2,3x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤2
- PC-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光电导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:三级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PC-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光导探测器在三级热电冷却器。优化器件的最大性能在λopt。接通波长受GaAs透过率(~ 0.9 μ m)的限制。需要偏置来操作光电流。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在TO8包与wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。
  - PC-3TE-9:波长:9，检测率:≤1,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤60
  - PC-3TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤2,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤20
  - PC-3TE-12:波长:12，检测率:≤3,0x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤5
  - PC-3TE-13:波长:13，检测率:≤4,5x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4
- PC-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-14 μ m红外光电导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:四级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PC-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光导探测器在四级热电冷却器上。优化器件的最大性能在λopt。接通波长受GaAs透过率(~ 0.9 μ m)的限制。需要偏置来操作光电流。低频(ងkHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在带有wZnSeAR窗口的TO8包中使用。其他包、窗口和连接器也可用。
  - PC-4TE-9:波长:9，检测率:≤2,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤80
  - PC-4TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤3,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤30
  - PC-4TE-12:波长:12，检测率:≤2,0x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤7
  - PC-4TE-13:波长:13，检测率:≤1,0x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤6
  - PC-4TE-14:波长:14，检测率:≤6,0x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤5
- 一种总线标准
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-11 μ m红外光电导体光学浸入
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:没有
  - 包:BNC T039
  - 亮点:没有
  的一种总线标准-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光导探测器，光学浸泡在高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。本系列使用方便，不需要冷却或散热器。优化器件的最大性能在λopt。接通波长受GaAs透过率(~ 0.9 μ m)的限制。需要偏置来操作光电流。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。标准探测器可在TO39或BNC包中使用，不带窗口。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PCI-4:波长:4，探测率:≤6,0x10^9，时间常数:≤12000
  - PCI-5:波长:5，检测率:≤4,0x10^9，时间常数:≤5000
  - PCI-6:波长:6，检测:≤1,0x10^8，时间常数:≤500
  - PCI-9:波长:9，检测:≤1,0x10^8，时间常数:≤10
  - PCI-10 6:波长:10,6，检测:≤8,0x10^7，时间常数:≤3
- PCI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:两级
  - 包:亚马孙河,TO66
  的PCI-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用两级热电冷却器红外光导探测器，光学浸泡在高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。优化器件的最大性能在λopt。接通波长受GaAs透过率(~ 0.9 μ m)的限制。需要偏置来操作光电流。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器采用TO8封装，带有wAl2O3或wZnSeAR窗口。其他包、窗口和连接器也可用。
  - PC-2TE-4:波长:4，检测率:≤4,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤30000
  - PC-2TE-5:波长:5，检测率:≤2,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤20000
  - PC-2TE-6:波长:6，检测率:≤1,0x10^10，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4000
  - PC-2TE-9:波长:9，检测率:≤4,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤40
  - PC-2TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤1,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤10
  - PC-2TE-12:波长:12，检测率:≤4,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤3
  - PC-2TE-13:波长:13，检测率:≤2,3x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤2
- PCI-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:三级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PCI-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光导探测器在三级热电冷却器上，光学浸泡到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以满足不同的接受角度和饱和水平。优化器件的最大性能在λopt。接通波长受GaAs透过率(~ 0.9 μ m)的限制。需要偏置来操作光电流。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在带有wZnSeAR窗口的TO8包中使用。其他包，窗口和连接器也可用。
  - PCI-3TE-9:波长:9，探测率:≤6,2 × 10^9，时间常数:≤60
  - PCI-3TE-10 6:波长:10,6，探测率:≤2,5x10^9，时间常数:≤20
  - PCI-3TE-12:波长:12，检测:≤9,0x10^8，时间常数:≤5
  - PCI-3TE-13:波长:13，探测率:≤4,5 × 10^8，时间常数:≤4
- PCI-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-14 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:四级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PCI-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用四级热电冷却器上的红外光导探测器，光学浸泡到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以满足不同的接受角度和饱和水平。优化器件的最大性能在λopt。接通波长受GaAs透过率(~ 0.9 μ m)的限制。需要偏置来操作光电流。低频(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。可根据要求定制具有象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学滤光片的设备。标准探测器可在带有wZnSeAR窗口的TO8包中使用。其他包、窗口和连接器也可用。
  - PCI-4TE-9:波长:9，检测率:≤1,0x10^10，时间常数:≤80
  - PCI-4TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤3,0x10^9，时间常数:≤30
  - PCI-4TE-12:波长:12，检测:≤2,0x10^9，时间常数:≤7
  - PCI-4TE-13:波长:13，检测:≤1,0x10^9，时间常数:≤6
  - PCI-4TE-14:波长:14，检测:≤3,0x10^8，时间常数:≤5

InAs/InAsSb光伏探测器
半导体层由InAs或InAsSb材料制成的光伏探测器(光电二极管)。被吸收的光子产生的载流子被收集在具有复杂电流电压特性的电路中。该器件可以在无闪烁零偏置或反向电压下运行。这些探测器不含镉和汞。因此，该探测器符合RoHS指令，可用于消费市场。
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- PVA
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  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，环境温度
  PVA是一种基于InAs合金的非冷却红外光伏探测器。该设备温度稳定至300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。
  特点:
  - 2.0- 5.5 μ m光谱范围内的高性能
  - 环境温度操作
  - 温度稳定至300°C
  - 符合RoHS指令
  - 不需要偏见
  - 无1/f噪音
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸泡:否，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸泡:否，包装:TO39，时间常数τ≤60 ns
- PVA-2TE
- - 更多信息
  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，两级热电冷却
  PVA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电冷却红外光伏探测器。该设备温度稳定至300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。
  特点:
  - 2.0- 5.5 μ m光谱范围内的高性能
  - 环境温度操作
  - 温度稳定至300°C
  - 符合RoHS指令
  - 不需要偏见
  - 无1/f噪音
  模型:
  - PVA-2TE-3两级TE冷却，浸泡:No，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5两级TE冷却，浸泡:No，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
- PVIA
- - 更多信息
  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，环境温度，光学浸没
  PVIA-3是一种基于InAs合金的非冷却红外光伏探测器，为了提高器件的性能，采用了光浸法。该探测器温度稳定，可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。
  特点:
  - 2.0- 5.5 μ m光谱范围内的高性能
  - 两级热电冷却
  - 温度稳定至300°C
  - 符合RoHS指令
  - 应用超半浸式微透镜技术
  - 不需要偏见
  - 无1/f噪音
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸泡:否，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸泡:否，包装:TO39，时间常数τ≤60 ns
  - PVA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:无，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:无，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-3冷却:未冷却，浸泡:是的，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVIA-5冷却:未冷却，浸泡:是的，包装:TO39，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:是，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:是，封装:TO8，时间常数τ≤5 ns
- PVIA-2TE
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  - PDF目录
- 2.0 - 3.4 μ m，两级热电冷却
  PVIA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电冷却红外光伏探测器，为了提高器件的性能，采用了光浸法。该探测器温度稳定，可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。
  特点:
  - 2.0- 5.5 μ m光谱范围内的高性能
  - 两级热电冷却
  - 温度稳定至300°C
  - 符合RoHS指令
  - 应用超半浸式微透镜技术
  - 不需要偏见
  - 无1/f噪音
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸泡:否，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸泡:否，包装:TO39，时间常数τ≤60 ns
  - PVA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:无，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:无，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-3冷却:未冷却，浸泡:是的，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVIA-5冷却:未冷却，浸泡:是的，包装:TO39，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:是，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:是，封装:TO8，时间常数τ≤5 ns

HgCdTe (MCT)阵列
活性表面由两种以上元素组成的红外探测器。该报价包括基于光电二极管和光电导体的象限几何探测器。非常适合于国防和安全应用，以及XY或差分测量。
- 更多信息
- PDF目录

- PCQ-10 6
- - 更多信息
  - 数据表
- - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:象限几何
  - 浸没式:Non-immersion
  2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结象限
  pvmq - 10.6是一种基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光伏多结象限探测器，性能和稳定性最佳。象限探测器由四个独立的活动元件组成，它们排列在一个象限几何图形中。该器件经过优化，可在10.6 μ m处获得最大性能。PVMQ探测器的主要应用是激光束轮廓和定位。
  - 冷却:没有
  - 波长:10日,6
  - 包:亚马孙河
  - 亮点:没有
  - 探测能力:≥9,0 x10 ^ 6
  - 时间常数:≤5
- PVMQ-10 6
- - 更多信息
  - 数据表
- - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:象限几何
  - 浸没式:Non-immersion
  1.0 - 12.0 μ m，环境温度，象限
  pcq - 10.6是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光导象限探测器，性能和稳定性最佳。象限探测器由四个独立的活动元件组成，它们排列在一个象限几何图形中。该器件经过优化，可在10.6 μ m处获得最大性能。检测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。PCQ探测器的主要应用是激光光束分析和定位。
  - 冷却:没有
  - 波长:10日,6
  - 包:亚马孙河
  - 亮点:没有
  - 探测能力:≥1,0 x10 ^ 7
  - 时间常数:≤1,5

专用的电子产品
我们还为探测器提供专用的电子设备。前置放大器，TEC控制器，电源等配件。
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选中的行
红外探测模块将红外光电探测器、信号处理电子器件、光学器件、散热系统等部件集成在一个通用封装中。产品的选择基于高功能性，适用于许多应用，如泄漏检测，气体分析，快速移动物体的温度控制。集成的其他优点是提高高频(HF)性能，输出信号标准化和小型化。精选的产品线保证了短时间的订单履行日期和有效的价格。
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- 嗯系列
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- 将探测器、前置放大器和TEC控制器集成在紧凑的密封封装中具有重要的优点:小型化、更好的高频性能、抗电磁干扰(EMI)、提高可靠性、易于使用和降低成本。
  通用模块系列有三种型号:
- 优化的操作光谱范围为3 um至6.7 um和频率带宽从直流到1 MHz与光电探测器光学浸入。
- 优化的工作在2 um到12 um的光谱范围内，频率带宽从直流到100 MHz与光电多结检测器光学浸入
- 优化的操作在相同的光谱范围和相同的带宽，但与光伏多结探测器没有浸没微透镜。
- LabM系列
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- 可编程检测模块可以控制许多参数，如带宽和增益，即使在正常操作期间。
  这为测量系统的设计者提供了全新的可能性。
  在完全模拟的输入电路中，使用许多开关元件，甚至带有可变的数字控制电容来补偿跨阻输入级。
  内部架构类似于标准检测模块。主要区别在于大多数内部功能块都是可配置的。
  为了提供关于模块状态的信息，它配备了偏置和直流偏置监测电路。有可能建立一个具有自适应增益或过载保护的系统。可调带宽有助于实现各种信号类型的最佳噪声性能。
- 嗯系列
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- 许多应用需要高时间分辨率，或等效地，高频带宽光学检测。
  针对这些应用，VIGO开发了超高速检测模块系列。
  在电子学和力学方面，有必要采用一种特殊的设计。该系统被设计为支持高速信号的传播，将检测器安装在尽可能靠近PCB板和输入电路的外壳上。制造过程需要用特定的检测器对电路进行微调。
  此外，它有直流显示器。这是一个直流耦合信号，直接从一级前置放大器。一个人应该考虑到1 VDC偏移在直流显示器输出。
  此输出可用于:
  - 通过探测器测量平均光功率，
  - 光电探测器的暗电流监测。
  UHSM是市场上速度最快的长波红外探测模块系列之一。
- MicroM系列
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- MicroM是一种采用非制冷光伏多结探测器的微型检测模块。它的频谱范围从2 um到12µm，频率带宽从DC到10 MHz
  在空间有限的长波红外测量系统中易于组装。

可配置的线
全系列的前置放大器，专用于各种类型的VIGO系统红外探测器。模块的可配置线使有源区域的选择，前置放大器的类型和带宽的检测模块。这使得您可以根据自己的应用程序的需要调整模块。
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- 航
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- “一体化”
  互阻抗前置放大器
  航是新一代的跨阻、交流或直流耦合前置放大器。它被设计用于有偏或无偏的VIGO探测器。AIP是一种“一体式”设备——一个前置放大器与一个风扇和一个热电冷却器控制器集成在一个紧凑的外壳中。这是非常方便和用户友好的设备，因此可以很容易地用于各种应用。
- 工厂检验计划
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  - 数据表
- 快
  互阻抗前置放大器
  工厂检验计划是一系列高速，跨阻，交流耦合前置放大器，旨在与偏置TE冷却VIGO探测器一起工作。快速前置放大器实现精确的I-V转换，检测器偏置可达800 mV，同时保持紧凑的尺寸和低电流噪声。FIP自带风扇，不需要额外散热。适用于频宽要求较高的应用场合。额外的直流输出可作为一个选项
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 带宽可达1ghz
  - 精确的I-V转换
  - 检测器偏置可能性高达+800 mV
  - 低电流噪声
  - 与高电阻检测器合作
  - 有效冷却高达4级TE冷却器
- 米兰理工大学管理学院
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- 标准
  互阻抗前置放大器
  米兰理工大学管理学院是一系列中等尺寸的跨阻，直流或交流耦合前置放大器，用于有偏或无偏的VIGO检测器。MIP配有风扇，不需要任何额外的外部散热器。它是最人性化的前置放大器之一，一定会方便工作。
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 高信噪比
  - 带宽可达250mhz
  - 专用于2级，3级和4级TE冷却探测器的操作
  - 根据要求定制配置
  - 可提供其他配件
- 皮普
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  - 数据表
- 可编程的
  互阻抗前置放大器
  皮普是一系列可编程的“智能”前置放大器。由于现代化的内部配置，它提供了极大的灵活性，结合优越的信号参数和高可靠性。内置电压监视器允许检查和优化工作条件(电源电压，检测器偏置电压，第一级和最后一级输出电压偏置等)。
  也有可能改变增益，耦合(AC/DC)，优化第一级跨阻和手动或自动抑制电压偏置。
  优化后的参数存储在内部EEPROM存储器中，上电后自动加载。重置到默认设置可在任何时候。对于检测模块，安全检测器的偏置调节默认是阻止的。用户可以在订购时请求启用此选项。
  为了正确操作PTCC-01 TEC控制器是必需的。
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 高信噪比
  - 专用于2级，3级和4级TE冷却或非冷却探测器的操作
  - 用户可设置参数:
    - 输出电压偏置
    - 增益(40 dB范围内)
    - 带宽:150 kHz, 1.5 MHz, 20 MHz, 1.5 MHz, 15 MHz, 200 MHz
    - AC / DC耦合
    - 探测器参数(在某些情况下，有限制)
  - 可编程模块和可编程控制器是可互换的
  - 高度灵活的配置允许用户调整模块以适应各种系统参数
  - 可提供其他配件
- SIP-TO8
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  - 数据表
- 小，用于TE冷却探测器
  互阻抗前置放大器
  SIP-TO8是一系列超小型跨阻，交流或直流耦合前置放大器。它被设计用于有偏或无偏探测器。它与TO8封装的热电冷却探测器兼容。SIP-TO8专用于OEM应用，需要外部散热器(MHS-2)。有可能调整增益(带宽高达100 MHz的设备)。
  特点:
  - 尺寸非常小
  - 高信噪比
  - 带宽可达250mhz
  - 专用于2级，3级和4级TE冷却探测器的操作
  - 偏置和无偏置检测器兼容
  - 可调增益(带宽可达100mhz)
  - 完全保护，防止超过电源电压和反转电源极性
  - 根据要求进行定制修改
  - 可提供其他配件
- SIP-TO39
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  - 数据表
- 小，用于TE冷却探测器
  互阻抗前置放大器
  SIP-TO038是一系列超小型跨阻，交流或直流耦合前置放大器。它被设计用于有偏或无偏探测器。它与TO39封装的VIGO热电冷却探测器兼容。SIP-TO39专用于OEM应用，不需要外部散热器。有可能调整增益(带宽高达100 MHz的设备)。
  特点:
  - 尺寸非常小
  - 高信噪比
  - 带宽可达250mhz
  - 专用于2级，3级和4级TE冷却探测器的操作
  - 偏置和无偏置检测器兼容
  - 可调增益(带宽可达100mhz)
  - 完全保护，防止超过电源电压和反转电源极性
  - 根据要求进行定制修改
  - 可提供其他配件

配件
我们为我们的产品提供所有必要的配件。电气配件，如热电冷却器控制器和前置放大器电源。机械配件，如探测器和红外模块支架，底座安装系统和专用于我们产品的电缆。
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- 前置放大器电源PPS-03
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- 通用
  PPS-03是一种体积小，易于使用的通用前置放大器电源，设计用于VIGO检测模块microM-10.6和其他包含TO39封装的非冷却探测器和前置放大器SIP-TO39的设备。
  的PPS-03前置放大器电源是为VIGO系统红外探测模块(包括非冷却红外探测器)提供电源。
  特点:
  - 专用于供应非冷却型探测器
  - 尺寸非常小
  - 低成本
- 热电冷却器控制器PTCC-01
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- 可编程的
  PTCC-01是一系列可编程，精密低噪音的热电冷却器控制器。它们设计用于使用VIGO IR检测模块:LabM-I-6, LabM-I-10.6和其他包含TE冷却探测器和前置放大器的设备:PIP, MIP, FIP, SIP-TO8。
  可用版本:
  PTCC-01-OEM
  - TEC控制器和前置放大器电源不带外壳
  - 可通过网页上的PC软件进行配置
  - 状态LED指示灯和状态/数据连接器
  PTCC-01-BAS
  - TEC控制器和前置放大器电源封装在一个小尺寸的外壳内
  - 可通过网页上的PC软件进行配置
  - LED指示灯
  PTCC-01-ADV
  - TEC控制器和前置放大器电源封装在一个小尺寸的外壳内
  - 可通过内置功能键或网页上的PC软件进行配置
  - 状态指示灯LCD
  特点:
  - 低成本
  - 使用方便
  - 尺寸非常小
  - 低功耗
  - 高稳定性和精度
  - 专用于前置放大器与2级，3级和4级TE冷却探测器集成的操作
  - 兼容各种可编程前置放大器PIP;用户可以交换模块和控制器
  - 具有数字执行PID温度控制的现代建筑
  - 电流/电压/温度监视器可与PC程序
  - 过流、过压、过热保护
  - 分离接地和滤波，提高电磁兼容性
  - 固件升级选项可用
  - 提供适当的探测器冷却
  - 包括前置放大器电源

应用程序

- 用于安全与防御应用的红外探测器
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- 该设备将用于搜索可能发生爆炸、毒气或恐怖袭击的地方。接下来，检测系统将通知可能的风险或威胁
- 铁路运输安全红外探测器
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- 安全是铁路运输最重要的方面。然而，每年至少有一些严重的事故在铁路交通。
- 中红外线性探测器阵列塑料分拣
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- 大规模生产塑料制品的有效方法的发展给许多行业带来了革命性的变化，但大规模回收的方法呢?
- 红外激光气体泄漏检测
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- VIGO系统开发了一种独特的仪器制造技术，可以快速方便地检测1 - 16 μm红外辐射。
- 医疗传感器
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- 有一些商用设备利用了VIGO系统开发的技术。这些是用来分析呼出气体的仪器。
- 工业红外传感器
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- 该探测器用于监测化工、炼油、发电、食品和气溶胶生产行业的过程气体。
- 汽车传感器
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- VIGO系统探测器无与伦比的速度和灵敏度使其在响应时间关系到数百人的安全的应用中非常有用。
- 环境传感器
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- 波兰的产品已经在监测大气成分的研究中心、工厂和发电厂的烟囱或无人驾驶气象气球上表现良好。

外延晶圆:我们充满激情地服务于III-V组半导体市场。
我们生产非常高质量的III-V外延结构，用于复杂的电子产品，如激光器，光电探测器，晶体管，光伏电池和其他设备。作为市场上为数不多的几家公司之一，我们提供各种高质量的外延晶圆，既可以大批量生产，也可以小批量生产。

- 基于GaAs的产品
- - 更多信息
- AlGaAs /砷化镓:
  - QW边缘发射激光器
  - VCSELs
  - fet, hemt，肖特基二极管
  - 变容器
  GaAsP/GaAs:应变QW边缘发射激光器
  InGaAsP/GaAs: 808nm QW激光器
  InGaAs/AlGaAs/GaAs:应变QW激光器
  InAs/GaAs: QD激光器
  AlGaAs/GaAs:被动波导
  按规格制造
- 基于InP的产品
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- InGaAsP/InP:应变或匹配QW边缘发射激光器和1300 - 1600nm的soa
  InGaAs/InP: QW边缘发射激光器
  InGaAsP/InP: VCSEL结构
  InAlGaAs/InP:边缘发射和VCSEL结构
  InGaAsP/InP:无源设备
  InGaAs:光电探测器
  InAlAs InGaAs /输入:HEMTs
  按规格制造

环境技术21日xx

红外探测器

HgCdTe光伏探测器

选中的行

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.4 - 5.5 μ m，环境温度，光学浸没

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.4 - 4.5µm，环境温度，光学浸没

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.4 - 4.3µm，环境温度，光学浸没

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.9 - 5.5 μ m，环境温度，光学浸没

HgCdTe (MCT)光伏探测器

3.0 - 6.7µm，环境温度，光学浸没

HgCdTe (MCT)光伏探测器

3.0 - 6.9 μ m，环境温度，光学浸没

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.0 - 12.0 μ m，两级热电冷却，多结

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结

所有HgCdTe (MCT)光伏探测器

光伏

3-8 μm红外光伏探测器

PV-2TE

2-12 μm红外光伏探测器热电冷却

PV-3TE

1-15 μm三级热电冷却光导探测器

PV-4TE

1.0 - 16.0 μ m HgCdTe四级热电冷却光导探测器

元太

2-8 μm红外光伏探测器光学浸没

PVI-2TE

2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光学浸没

PVI-3TE

2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光学浸没

PVI-4TE

2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光学浸没

PVM

8-11 μm红外光伏多结探测器

PVM-2TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却

PVMI

8-11 μm红外光伏多结探测器光学浸入

PVMI-2TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没

PVMI-3TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没

PVMI-4TE

8-11微米红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没

PEM

PEMI

HgCdTe (MCT)光导探测器

选中的行

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36

1.0 - 14.0µm，三级热电冷却，光浸

所有HgCdTe (MCT)光导探测器

个人电脑

2-11 μ m红外光电导体

PC-2TE

2-13 μ m红外光电导体热电冷却

PC-3TE

2-13 μ m红外光电导体热电冷却

PC-4TE

2-14 μ m红外光电导体热电冷却

一种总线标准

2-11 μ m红外光电导体光学浸入

PCI-2TE

2-13 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没

PCI-3TE

2-13 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没

PCI-4TE

2-14 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没

InAs/InAsSb光伏探测器

PVA

2.0 - 5.5 μ m，环境温度

PVA-2TE

2.0 - 5.5 μ m，两级热电冷却

PVIA