维戈的非制冷红外光子探测器

环境技术21日xx

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维系统

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VIGO System S.A.是世界领先的中长波长的标准和定制高科技非制冷光电探测器制造商。80年代，在军事技术学院，hab博士带领的团队。Joseph Piotrowski开发了一种不需要低温冷却的探测器生产技术，并将其应用于一家新成立的公司。80年代，在军事技术学院，hab博士带领的团队。Joseph Piotrowski开发了一种不需要低温冷却的探测器生产技术，并将其应用于一家新成立的公司。
VIGO生产的探测器应用于各个领域，如:
- 工业——激光功率控制和校准;
- 国防与安全——智能弹药、预警系统;
- 环保——气体分析、实时水质控制;
- 医疗保健——无创血液分析;
- 传输。快速移动物体的温度分布分析
- 精密无损光谱学的研究和开发。

产品组合

红外探测器
基于HgCdTe材料的探测器，在所有已发现的适合红外探测的材料中提供了最高的性能。我们的探测器优化了MWIR (3-8μm)和LWIR (8-16μm)光谱范围。它是制造工业和环保气体传感器的完美选择。它们是CRDS、TDLAS或FTIR光谱的理想解决方案。极高的检测参数和操作速度使其成为泄漏检测、运输安全或防御等应用的理想选择。我们还提供基于InAs或InAsSb的探测器，符合RoHS要求，适合消费市场。

HgCdTe (MCT)光电探测器
光电探测器(光电二极管)是具有一个(PV)或多个(PVM)， homo或异质结的半导体结构。被吸收的光子产生电荷载流子，在接触处收集，产生外部光电流。光电二极管具有复杂的电流电压特性。该器件可以在无闪烁零偏置或反向电压下工作。反向偏置电压常用于提高响应率、差分电阻、降低弹噪声、改善高频性能和增加动态范围。

选中的行

- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 5.5 μ m，环境温度，光浸
  PVI-5-1×1-TO39-NW-36是基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器，具有最佳的性能和稳定性。该装置在λopt = 5 μ m时性能最佳。探测器元件与超半球形砷化镓微透镜整体集成，以提高器件性能。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 4.5 μ m，环境温度，光浸
  PVI-4-1×1-TO39-NW-36是基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光电探测器，具有最佳的性能和稳定性。该装置经过优化，在4µm时性能达到最大。探测器元件与超半球形砷化镓微透镜整体集成，以提高器件性能。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。
- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 4.3µm，环境温度，光浸
  PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36是两级热电制冷红外光电探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。该装置在λopt = 4.0 μ m时性能最佳。探测器元件与超半球形砷化镓微透镜整体集成，以提高器件性能。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.9 - 5.5 μ m，环境温度，光浸
  PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是两级热电制冷红外光电探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。该装置在λopt = 5.0 μ m时性能最佳。探测器元件与超半球形砷化镓微透镜整体集成，以提高器件性能。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 3.0 - 6.7 μ m，环境温度，光浸
  PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是两级热电制冷红外光电探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。该装置在λopt = 6 μ m时性能最佳。探测器元件与超半球形砷化镓微透镜整体集成，以提高器件性能。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 3.0 - 6.9 μ m，环境温度，光浸
  PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36四级热电冷却红外光电探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。该装置在λopt = 6 μ m时性能最佳。探测器元件与超半球形砷化镓微透镜整体集成，以提高器件性能。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结
  pvm - 10.6 - 1×1 - to39 - nw - 90是基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结探测器，具有最佳的性能和稳定性。该装置在λopt = 10.6 μ m时性能最佳，特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大有源面积探测器。
- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，两级热电冷却，多结
  pvm - 2 - te - 10.6 - 1×1 -亚马孙河wznsear - 70是两级热电冷却红外光伏多结探测器，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。该装置在λopt = 10.6 μ m时性能最佳，特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大有源面积探测器。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe光电探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结
  pem - 10.6 - 2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48是基于半导体光电电磁效应的非制冷红外光伏多结HgCdTe探测器——光生电子与空穴在磁场中的空间分离。该装置在λopt = 10.6 μ m时性能最佳，特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大有源面积探测器。该器件安装在专用封装内，内含磁路和SMA信号输出连接器。3°楔形硒化锌防反射涂层窗口，防止不必要的干扰影响，防止污染。

全HgCdTe (MCT)光电探测器

- 光伏
- - 更多信息
  - 数据表
- 3-8 μm红外光电探测器
  的PV -λ的选择光电探测器系列(λ最优波长微米)具有红外光伏探测器。
  该系列使用方便，无需冷却或散热器。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗户的包。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PV-3:最佳波长λopt: 3.0 μµm，检测率D*(λopt):≥6.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤350ns
  - pv - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μµm，检测率D*(λopt):≥5.0 0x10cm·Hz1/2/W9，时间常数τ:≤260ns
  - PV-4:最佳波长λopt: 4.0 μ m，检测率D*(λopt):≥3.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤150ns
  - PV-5:最佳波长λopt: 5.0 μµm，检测率D*(λopt):≥1.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤120ns
  - PV-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥5.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
- PV-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光电探测器热电制冷
  的PV-2TE -λ的选择光电探测器系列(λ最优波长微米)采用两级热电冷却器上的红外光伏探测器。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PV-2TE-3:最佳波长λopt: 3.0 μµm，检测率D*(λopt):≥7.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 2 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μµm，检测率D*(λopt):≥4.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-2TE-4:最佳波长λopt: 4.0 μ m，检测率D*(λopt):≥3.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PV-2TE-5:最佳波长λopt: 5.0 μµm，检测率D*(λopt):≥9.0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PV-2TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥2.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PV-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 1-15 μm三级热电冷却光导探测器
  PC-3TE系列具有基于复杂HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光导探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt处达到最佳性能。设备应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。1/f噪声降低了低频的性能。1/f噪声角频率随截止波长的增大而增大。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
  - PV-3TE-3:最佳波长λopt: 3.0 μµm，检测率D*(λopt):≥1.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 3 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μµm，检测率D*(λopt):≥7.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-3TE-4:最佳波长λopt: 4.0 μ m，检测率D*(λopt):≥4.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PV-3TE-5:最佳波长λopt: 5.0 μµm，检测率D*(λopt):≥1.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PV-3TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥4.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥3.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.5x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PV-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 1.0 - 16.0µm HgCdTe四级热电冷却光导探测器
  PC-4TE系列具有基于复杂HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光导探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt处达到最佳性能。设备应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。1/f噪声降低了低频的性能。1/f噪声角频率随截止波长的增大而增大。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。
  - PV-4TE-3:最佳波长λopt: 3.0 μµm，检测率D*(λopt):≥1.5x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 4 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μµm，检测率D*(λopt):≥1.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-4TE-4:最佳波长λopt: 4.0 μ m，检测率D*(λopt):≥6.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PV-4TE-5:最佳波长λopt: 5.0 μµm，检测率D*(λopt):≥1.5x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PV-4TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥5.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥4.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 4 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤25ns
- 元太
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-8 μm红外光电探测器光学浸没
  的元太-λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光伏探测器，光学浸入高折射率GaAs超半球(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以满足不同的接收角度和饱和度。该系列使用方便，无需冷却或散热器。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗户的包。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  非冷却,浸:是的
  - PVI-3:最佳波长λopt: 3.0 μµm，检测率D*(λopt):≥5.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤350ns
  - 元太- 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μµm，检测率D*(λopt):≥4.5x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤260ns
  - PVI-4:最佳波长λopt: 4.0 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤150ns
  - PVI-5:最佳波长λopt: 5.0 μµm，检测率D*(λopt):≥9.0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤120ns
  - PVI-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥4.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
- PVI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光电探测器采用热电冷却光学浸没
  的PVI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用两级热电冷却器上的红外光伏探测器，光学浸入高折射率GaAs超半球(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以满足不同的接收角度和饱和度。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户也可以使用其他包、窗口和连接器。
  两级TE冷却，浸泡:是的
  - PVI-2TE-3:最佳波长λopt: 3.0 μµm，检测率D*(λopt):≥5.5x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 2 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μµm，探测度D*(λopt):≥3.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-2TE-4:最佳波长λopt: 4.0 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PVI-2TE-5:最佳波长λopt: 5.0 μµm，检测率D*(λopt):≥6.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PVI-2TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥2.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - 元太- 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PVI-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光电探测器采用热电冷却光学浸没
  的PVI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米级)采用红外光伏探测器置于三级热电冷却器上，光学浸入高折射率GaAs超半球(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以满足不同的接收角度和饱和度。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVI-3TE-3:最佳波长λopt: 3.0 μµm，检测率D*(λopt):≥7.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 3 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μµm，检测率D*(λopt):≥5.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-3TE-4:最佳波长λopt: 4.0 μ m，检测率D*(λopt):≥3.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PVI-3TE-5:最佳波长λopt: 5.0 μµm，检测率D*(λopt):≥8.0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PVI-3TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥3.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥3.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - 元太- 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PVI-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光电探测器采用热电冷却光学浸没
  的PVI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长在微米)采用红外光伏探测器在四级热电冷却器，光学浸入高折射率GaAs超半球(标准)或半球形或任何中间透镜(作为选择)不同的接收角度和饱和度。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高高频性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVI-4TE-3:最佳波长λopt: 3.0 μµm，检测率D*(λopt):≥8.0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 4 - te - 3.4:最佳波长λopt: 3.4 μµm，探测度D*(λopt):≥7.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-4TE-4:最佳波长λopt: 4.0 μ m，检测率D*(λopt):≥4.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PVI-4TE-5:最佳波长λopt: 5.0 μµm，检测率D*(λopt):≥1.0 0x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PVI-4TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥4.0 0x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥4.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - PVI-4TE-10:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤25ns
- PVM
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器
  的PVM -λ的选择光电探测器系列(λ最优波长微米)红外多结光伏探测器。该器件在λopt处达到最佳性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗户的包。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器
  - PVM-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥6.5x107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvm - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 0x107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.5ns
- PVM-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电制冷
  的PVM-2TE -λ的选择光电探测器系列(λ最优波长微米)采用两级热电冷却器上的红外多结光伏探测器。
  该器件在λopt条件下可获得最大的性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  - PVM-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥3.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvm - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns
- PVMI
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器光学浸没
  的PVMI -λ的选择光电探测器系列(λ最优波长微米)具有红外多结光浸光伏探测器。
  该器件在λopt处达到最佳性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗户的包。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PVMI-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥3.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.5ns
- PVMI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没
  的PVMI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λ最优波长微米)采用两级热电冷却器上的红外多结光浸式光电探测器。该器件在λopt处达到最佳性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVMI-2TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥2.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 2 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns
- PVMI-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没
  的PVMI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λ最优波长微米)采用红外多结光浸式光电探测器置于三级热电冷却器上。该器件在λopt处达到最佳性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVMI-3TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥3.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 3 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10,6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns
- PVMI-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μ m红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没
  的PVMI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λ最优波长微米)采用四级热电冷却器上的红外多结光浸式光电探测器。
  该器件在λopt处达到最佳性能。采用可变间隙可获得最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVMI-4TE-8:最佳波长λopt: 8.0 μµm，检测率D*(λopt):≥6.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 4 - te - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 0x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤3ns
- PEM
- - 更多信息
  - 数据表
- PEM系列探测器的工作原理是利用半导体中的光电磁效应。该器件通常在10.6 μm时达到最佳性能。
  该检测器包括基于的有源元件(HgCd) Te带隙工程与选定的成分和掺杂概况，和微型永磁体产生磁场。的PEM该探测器适用于10.6 μm辐射的外差探测。该系统无闪烁噪声，可同时检测2 ~ 11 μm光谱范围内的连续波和低频调制辐射。定制设备，如各种尺寸的单个元素，象限单元和多元素阵列，各种专门的封装和连接器可根据要求提供。标准探测器有专门的PEM封装(带有SMA连接器)具有wZnSeAR窗户
  - pem - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 0x107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.2ns
- PEMI
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，环境温度，光浸，光电磁
  pemi - 10.6是一种基于半导体中的光电磁效应——光产生的电子和空穴在磁场中的空间分离的非制冷HgCdTe光伏光浸红外探测器。该装置在10.6 μ m时性能最佳，特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大有源面积探测器。这些设备安装在专门的封装中，内部装有磁路。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响和保护免受污染。
  - pemi - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 0x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.2n

HgCdTe (MCT)光导探测器
基于光导效应的光导探测器。红外辐射在半导体有源区产生载流子，降低其电阻。通过施加恒定的电压偏置，电阻的变化被感知为电流的变化。该器件具有接近线性的电流-电压特性。光导体中的电场在整个器件中是恒定的。
- 更多信息

选中的行

- - PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36
  - - 更多信息
    - 数据表
  - 1.0 - 14.0 μ m，三级热电冷却，光学浸没
    PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一种三级热电冷却的红外光敏导体，基于复杂的HgCdTe异质结构，以获得最佳的性能和稳定性。该装置在λopt = 12 μ m时性能最佳。探测器元件与超半球形砷化镓微透镜整体集成，以提高器件性能。光导检测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。1/f噪声降低了低频的性能。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口防止不必要的干扰影响。

全HgCdTe (MCT)光导探测器

- 个人电脑
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-11 μ m红外光电导体
  的个人电脑-λopt (λopt -最佳波长微米)红外光导探测器。
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:没有
  - 包:BNC T039
  - 亮点:没有
  该系列使用方便，无需冷却或散热器。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长受砷化镓透射率(~0.9 μ m)的限制。光电流的工作需要偏压。低频率(< 20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，获得了最高的性能和稳定性。
  标准探测器在TO39或BNC包中可用，不带窗口。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - 电脑:波长:4，探测度:≤2,0x10^9，时间常数:≤12000
  - 间使:波长:5，探测度:≤1,0x10^9，时间常数:≤5000
  - 内关:波长6，探测度≤3,0x10^8，时间常数≤500
  - 中冲:波长:9，探测度:≤2,0x10^7，时间常数:≤10
  - PC-10 6:波长:10,6，探测度:≤9,0x10^6，时间常数:≤3
- PC-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光电导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:两级
  - 包:亚马孙河,TO66
  的PC-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光导探测器在两级热电冷却器上。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长受砷化镓透射率(~0.9 μ m)的限制。光电流的工作需要偏压。低频率(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，获得了最高的性能和稳定性。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在TO8包装与wAl2O3或wZnSeAR窗口。也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PC-2TE-4:波长:4，探测度:≤2,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤30000
  - PC-2TE-5:波长:5，探测度:≤1,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤20000
  - PC-2TE-6:波长:6，探测度:≤3,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4000
  - PC-2TE-9:波长:9，探测度:≤4,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤40
  - PC-2TE-10 6:波长:10,6，探测度:≤1,4x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤10
  - PC-2TE-12:波长:12，探测率:≤4,5x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤3
  - PC-2TE-13:波长:13，探测率:≤2,3x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤2
- PC-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光电导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:三级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PC-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有红外光导探测器在三级热电冷却器。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(约0.9 μ m)。光电流的工作需要偏压。低频率(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，获得了最高的性能和稳定性。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在TO8包wZnSeAR窗口..也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PC-3TE-9:波长:9，探测率:≤1,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤60
  - PC-3TE-10 6:波长:10,6，探测度:≤2,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤20
  - PC-3TE-12:波长:12，探测率:≤3,0x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤5
  - PC-3TE-13:波长:13，探测率:≤4,5x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4
- PC-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-14 μ m红外光电导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:四级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PC-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)采用红外光导探测器在四级热电冷却器上。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(约0.9 μ m)。光电流的工作需要偏压。低频率(ងkHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，获得了最高的性能和稳定性。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PC-4TE-9:波长:9，探测率:≤2,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤80
  - PC-4TE-10 6:波长:10,6，探测度:≤3,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤30
  - PC-4TE-12:波长:12，探测率:≤2,0x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤7
  - PC-4TE-13:波长:13，探测度:≤1,0x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤6
  - PC-4TE-14:波长:14，探测度:≤6,0x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤5
- 一种总线标准
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-11 μ m红外光电导体光浸
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:没有
  - 包:BNC T039
  - 亮点:没有
  的一种总线标准-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有红外光导探测器，光学浸入高折射率GaAs超半球(标准)或半球形或任何中间透镜(作为选择)不同的接收角度和饱和度。该系列使用方便，无需冷却或散热器。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(约0.9 μ m)。光电流的工作需要偏压。低频率(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，获得了最高的性能和稳定性。标准探测器在TO39或BNC包中可用，不带窗口。可根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PCI-4:波长:4，探测度:≤6,0x10^9，时间常数:≤12000
  - PCI-5:波长:5，探测器:≤4,0x10^9，时间常数:≤5000
  - PCI-6:波长6，探测度≤1,0x10^8，时间常数≤500
  - PCI-9:波长9，探测度≤1,0x10^8，时间常数≤10
  - PCI-10 6:波长:10,6，探测度:≤8,0x10^7，时间常数:≤3
- PCI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:两级
  - 包:亚马孙河,TO66
  的PCI-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有两级热电制冷红外光导探测器，光学浸入高折射率GaAs超半球(标准)或半球形或任何中间透镜(作为选择)不同的接收角度和饱和度。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(约0.9 μ m)。光电流的工作需要偏压。低频率(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，获得了最高的性能和稳定性。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器可在TO8包装与wAl2O3或wZnSeAR窗口。也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PC-2TE-4:波长:4，探测度:≤4,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤30000
  - PC-2TE-5:波长:5，探测度:≤2,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤20000
  - PC-2TE-6:波长:6，探测度:≤1,0x10^10，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4000
  - PC-2TE-9:波长:9，探测率:≤4,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤40
  - PC-2TE-10 6:波长:10,6，探测度:≤1,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤10
  - PC-2TE-12:波长:12，探测率:≤4,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤3
  - PC-2TE-13:波长:13，探测度:≤2,3x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤2
- PCI-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:三级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PCI-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)特点是红外光导探测器置于三级热电冷却器上，光学浸入高折射率GaAs超半球(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以满足不同的接收角度和饱和度。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(约0.9 μ m)。光电流的工作需要偏压。低频率(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，获得了最高的性能和稳定性。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。其他包、窗口和连接器也可用。
  - PCI-3TE-9:波长:9，探测度:≤6,2x10^9，时间常数:≤60
  - PCI-3TE-10 6:波长:10,6，探测度:≤2,5x10^9，时间常数:≤20
  - PCI-3TE-12:波长:12，探测度:≤9,0x10^8，时间常数:≤5
  - PCI-3TE-13:波长:13，探测率:≤4,5x10^8，时间常数:≤4
- PCI-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-14 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:四级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PCI-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光导探测器在四级热电冷却器，光学浸入高折射率GaAs超半球(标准)或半球形或任何中间透镜(作为选择)不同的接受角度和饱和度。该器件在λopt处达到最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(约0.9 μ m)。光电流的工作需要偏压。低频率(<20 kHz)的性能由于1/f噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，获得了最高的性能和稳定性。可根据要求定制象限单元、多元素阵列、不同窗口、透镜和光学过滤器的设备。标准探测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。也可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PCI-4TE-9:波长9，探测率≤1,0x10^10，时间常数≤80
  - PCI-4TE-10 6:波长:10,6，探测度:≤3,0x10^9，时间常数:≤30
  - PCI-4TE-12:波长:12，探测率:≤2,0x10^9，时间常数:≤7
  - PCI-4TE-13:波长:13，探测器:≤1,0x10^9，时间常数:≤6
  - PCI-4TE-14:波长14，探测度≤3,0x10^8，时间常数≤5

在/ InAsSb光电探测器
光电探测器(光电二极管)，其中半导体层由InAs或InAsSb材料制成。吸收的光子产生电荷载流子，在二极管处收集的载流子具有复杂的电流电压特性。该器件可以在无闪烁零偏置或反向电压下工作。这些探测器不含镉和汞。结果表明，该探测器符合RoHS指令，可用于消费市场。
- 更多信息

- PVA
- - 更多信息
  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，环境温度
  PVA是一种基于InAs合金的非制冷红外光伏探测器。该设备温度稳定达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。
  特点:
  - 性能在2.0- 5.5 μ m的光谱范围内
  - 操作环境温度
  - 温度稳定达300°C
  - 符合RoHS指令
  - 不需要的偏见
  - 没有1 / f噪声
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸泡:不，封装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸泡:不，封装:TO39，时间常数τ≤60 ns
- PVA-2TE
- - 更多信息
  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，两级热电冷却
  PVA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电制冷红外光伏探测器。该设备温度稳定达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。
  特点:
  - 性能在2.0- 5.5 μ m的光谱范围内
  - 操作环境温度
  - 温度稳定达300°C
  - 符合RoHS指令
  - 不需要的偏见
  - 没有1 / f噪声
  模型:
  - PVA-2TE-3两级TE冷却，浸泡:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5两级TE冷却，浸泡:否，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
- PVIA
- - 更多信息
  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，环境温度，光浸
  PVIA-3是一种基于InAs合金的非制冷红外光伏探测器，通过光学浸没来提高器件性能。该探测器温度稳定达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。
  特点:
  - 性能在2.0- 5.5 μ m的光谱范围内
  - 两阶段热电的冷却
  - 温度稳定达300°C
  - 符合RoHS指令
  - 应用超半浸微透镜技术
  - 不需要的偏见
  - 没有1 / f噪声
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸泡:不，封装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸泡:不，封装:TO39，时间常数τ≤60 ns
  - PVA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-3冷却:不冷却，浸泡:对，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVIA-5冷却:不冷却，浸泡:对，包装:TO39，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:对，包装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:对，包装:TO8，时间常数τ≤5ns
- PVIA-2TE
- - 更多信息
  - PDF目录
- 2.0 - 3.4µm，两级热电冷却
  PVIA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电冷却红外光伏探测器，采用光学浸没的方式来提高器件的性能。该探测器温度稳定达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。
  特点:
  - 性能在2.0- 5.5 μ m的光谱范围内
  - 两阶段热电的冷却
  - 温度稳定达300°C
  - 符合RoHS指令
  - 应用超半浸微透镜技术
  - 不需要的偏见
  - 没有1 / f噪声
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸泡:不，封装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸泡:不，封装:TO39，时间常数τ≤60 ns
  - PVA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-3冷却:不冷却，浸泡:对，包装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVIA-5冷却:不冷却，浸泡:对，包装:TO39，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸泡:对，包装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸泡:对，包装:TO8，时间常数τ≤5ns

HgCdTe (MCT)数组
活动表面由两个以上元素组成的红外探测器。提供包括基于光电二极管和光导体的象限几何探测器。非常适合于防御和安全应用，以及XY或差分测量。
- 更多信息
- PDF目录

- PCQ-10 6
- - 更多信息
  - 数据表
- - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:象限几何
  - 浸没式:Non-immersion
  2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结象限
  pvmq - 10.6是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器，具有最佳的性能和稳定性。象限探测器由四个单独的活动元件组成，排列在象限几何上。在10.6 μ m时，该装置的性能达到最大。PVMQ探测器的主要应用是激光束仿形和定位。
  - 冷却:没有
  - 波长:10日,6
  - 包:亚马孙河
  - 亮点:没有
  - 探测能力:≥9,0 x10 ^ 6
  - 时间常数:≤5
- PVMQ-10 6
- - 更多信息
  - 数据表
- - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:象限几何
  - 浸没式:Non-immersion
  1.0 - 12.0 μ m，环境温度，象限
  pcq - 10.6是基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光导象限探测器，具有最佳的性能和稳定性。象限探测器由四个单独的活动元件组成，排列在象限几何上。在10.6 μ m时，该装置的性能达到最大。检测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。1/f噪声降低了低频的性能。PCQ探测器的主要应用是激光束仿形和定位。
  - 冷却:没有
  - 波长:10日,6
  - 包:亚马孙河
  - 亮点:没有
  - 探测能力:≥1,0 x10 ^ 7
  - 时间常数:≤1,5

专用的电子产品
我们还为我们的探测器提供专用电子产品。前置放大器，TEC控制器，电源等配件。
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选中的行
红外探测模块集成了红外光电探测器、信号处理电子、光学、散热系统等组件在共同封装中。产品的选择基于高功能性和许多应用，如泄漏检测，气体分析，温度控制的快速移动的对象。集成的其他优点是提高高频(HF)性能，输出信号标准化和小型化。精选的产品线保证短订单履行日期和一个有效的价格。
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- 嗯系列
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- 密封封装将探测器、前置放大器和TEC控制器集成在一起，具有小型化、更好的高频性能、抗电磁干扰(EMI)、提高可靠性、使用方便和降低成本等重要优点。
  通用模块系列有三种型号:
- 光敏光电探测器可在3 um到6.7 um的光谱范围和从DC到1 MHz的频率带宽范围内优化运行。
- 优化的光谱范围为2 um至12 um，频率带宽为DC至100 MHz，光电多重结探测器光浸入
- 在相同的光谱范围和相同的频率带宽下，采用无浸没微透镜的光伏多结探测器进行优化。
- LabM系列
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- 可编程的检测模块可以控制许多参数，如带宽和增益，即使在正常操作中。
  这为测量系统的设计者提供了全新的可能性。
  在完全模拟输入电路中，使用许多开关元件，甚至使用可变的数字控制电容来补偿跨阻抗输入级。
  内部架构类似于标准的检测模块。主要的区别是大多数内部功能块是可配置的。
  为了提供有关模块状态的信息，它配备了偏置和直流偏置监测电路。可以建立具有自适应增益或过载保护的系统。可调带宽可以帮助各种信号类型获得最佳的噪声性能。
- 嗯系列
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- 许多应用需要高时间分辨率，或者说，高频率带宽的光学检测。
  针对这些应用，VIGO开发了超高速检测模块系列。
  在电子学和机械学这两个学期，有必要采用一种特殊的设计。该系统被设计成支持高速信号的传播，将探测器安装在尽可能靠近PCB板和输入电路的外壳上。制造过程需要用特定的检测器对电路进行微调。
  此外，它有直流监视器。它是一个直流耦合信号，直接从第一级前置放大器获取。应该考虑到直流监视器输出的1 VDC偏移量。
  这个输出可以用于:
  - 通过探测器测量平均光功率，
  - 光电探测器的暗电流监测。
  UHSM是目前市场上速度最快的长波红外探测模块系列之一。
- MicroM系列
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- MicroM是一种采用非制冷光伏多结探测器的微尺寸检测模块。在2 um ~ 12 μ m的光谱范围内，在DC ~ 10 MHz的频率带宽范围内进行了优化
  在空间有限的长波红外测量系统中易于组装。

可配置的线
全套前置放大器专用于每一种类型的VIGO系统红外探测器。模块的可配置线路可以选择有源区域、前置放大器类型和检测模块的带宽。这使得使模块适应您自己的应用程序的需要成为可能。
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- 航
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- “一体化”
  互阻抗前置放大器
  航是新一代的跨阻抗，交流或直流耦合前置放大器。它被设计用于偏置或非偏置VIGO探测器。AIP是“一体式”设备——前置放大器与风扇和热电冷却器控制器集成在一个紧凑的外壳中。它是一种非常方便和友好的设备，因此可以很容易地在各种应用中使用。
- 工厂检验计划
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  - 数据表
- 快
  互阻抗前置放大器
  工厂检验计划是一系列高速、跨阻、交流耦合前置放大器，用于偏置TE冷却VIGO探测器。快速前置放大器实现精确的I-V转换，探测器偏置高达800 mV，同时保持小巧的体积和低电流噪声。FIP内置风扇，不需要额外散热。适用于要求较宽频率带宽的应用场合。额外的直流输出也是一种选择
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 带宽可达1ghz
  - 精确的电流-电压转换
  - 探测器偏置的可能性高达+800 mV
  - 低电流噪声
  - 配合高阻探测器
  - 有效冷却多达4级TE冷却器
- 米兰理工大学管理学院
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  - 数据表
- 标准
  互阻抗前置放大器
  米兰理工大学管理学院是一系列中等尺寸的跨阻抗，直流或交流耦合前置放大器，用于偏置或非偏置VIGO探测器。MIP配备了风扇，不需要任何额外的外部散热器。它是最用户友好的前置放大器之一，肯定有助于工作。
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 高信噪比
  - 带宽高达250兆赫兹
  - 专用于操作2级，3级和4级TE冷却探测器
  - 根据要求定制配置
  - 额外可用的配件
- 皮普
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  - 数据表
- 可编程的
  互阻抗前置放大器
  皮普是一系列可编程的“智能”前置放大器。由于现代化的内部配置，它提供了极端的灵活性，结合优越的信号参数和高可靠性。内置的电压监视器可以检查和优化工作条件(电源电压，探测器偏置电压，一级和最后一级输出电压偏移等)。
  也有可能改变增益，耦合(AC/DC)，优化第一级跨阻和手动或自动抑制电压偏移。
  优化后的参数存储在内部EEPROM存储器中，并在上电后自动加载。重置为默认设置可在任何时候。对于检测模块，安全检测器的偏置调整默认是封闭的。用户可以在订购时请求启用此选项。
  适当的操作PTCC-01 TEC控制器是必需的。
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 高信噪比
  - 专用于操作2级，3级和4级TE冷却或非冷却探测器
  - 用户可设置的参数:
    - 输出电压偏置
    - 增益(40分贝范围内)
    - 带宽:150 kHz, 1.5 MHz, 20 MHz, 1.5 MHz, 15 MHz, 200 MHz
    - AC / DC耦合
    - 检测器参数(在某些情况下，有限制)
  - 可编程模块和可编程控制器可互换
  - 高度灵活的配置允许用户调整模块以适应各种系统参数
  - 额外可用的配件
- SIP-TO8
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  - 数据表
- 体积小，用于TE冷却探测器
  互阻抗前置放大器
  SIP-TO8是一系列超小的跨阻，交流或直流耦合前置放大器。它被设计用于有偏检测器或无偏检测器。它与TO8封装的热电制冷探测器兼容。SIP-TO8专用于OEM应用，需要外部散热器(MHS-2)。有可能调整增益(频率带宽高达100 MHz的设备)。
  特点:
  - 非常小的尺寸
  - 高信噪比
  - 带宽高达250兆赫兹
  - 专用于操作2级，3级和4级TE冷却探测器
  - 偏置和非偏置检测器兼容
  - 可调增益(带宽达100 MHz)
  - 充分保护，防止超过电源电压和反向电源极性
  - 根据要求定制修改
  - 额外可用的配件
- SIP-TO39
- - 更多信息
  - 数据表
- 体积小，用于TE冷却探测器
  互阻抗前置放大器
  SIP-TO038是一系列超小的跨阻，交流或直流耦合前置放大器。它被设计用于有偏检测器或无偏检测器。兼容TO39封装的VIGO热电制冷探测器。SIP-TO39专用于OEM应用，不需要外部散热器。有可能调整增益(频率带宽高达100 MHz的设备)。
  特点:
  - 非常小的尺寸
  - 高信噪比
  - 带宽高达250兆赫兹
  - 专用于操作2级，3级和4级TE冷却探测器
  - 偏置和非偏置检测器兼容
  - 可调增益(带宽达100 MHz)
  - 充分保护，防止超过电源电压和反向电源极性
  - 根据要求定制修改
  - 额外可用的配件

配件
我们为我们的产品提供所有必要的配件。电器配件，如热电冷却器控制器和前置放大器电源。机械配件，如探测器和红外模块的支架，底座安装系统和专用于我们产品的电缆。
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- 前置放大器电源PPS-03
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  - 数据表
- 通用
  PPS-03是一种小型，易于使用和通用的前置放大器电源，设计用于与VIGO检测模块microM-10.6和其他设备包含TO39封装的非制冷探测器和前置放大器SIP-TO39。
  的PPS-03前置放大器电源是为VIGO系统红外探测模块(包括非制冷红外探测器)设计的。
  特点:
  - 专用于供应非制冷探测器
  - 非常小的尺寸
  - 低成本
- 热电冷却器控制器ptc -01
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- 可编程的
  PTCC-01是一系列可编程、精密低噪音的热电冷却器控制器。它们被设计用于VIGO红外探测模块:LabM-I-6, LabM-I-10.6和其他包含TE冷却探测器和前置放大器的设备:PIP, MIP, FIP, SIP-TO8。
  可用版本:
  PTCC-01-OEM
  - TEC控制器和无外壳前置放大器电源
  - 通过web页面提供的PC软件进行配置
  - 状态LED指示灯和状态/数据连接器
  PTCC-01-BAS
  - TEC控制器和前置放大器电源封装在一个小的外壳中
  - 通过web页面提供的PC软件进行配置
  - 状态LED指示器
  PTCC-01-ADV
  - TEC控制器和前置放大器电源封装在一个小的外壳中
  - 可通过网页上的内置功能键或PC软件进行配置
  - 状态指示器液晶
  特点:
  - 低成本
  - 易于使用的
  - 非常小的尺寸
  - 低功耗
  - 稳定性和精度高
  - 专用于与2级、3级和4级TE冷却探测器集成的前置放大器的操作
  - 兼容各种可编程前置放大器PIP;用户可以交换模块和控制器
  - 现代建筑采用数字PID温度控制
  - 电流/电压/温度监控可与PC程序
  - 过流、过压、过热保护
  - 分割接地和滤波，改善EMC
  - 提供固件升级选项
  - 提供适当的探测器冷却
  - 前置放大器提供包括

应用程序

- 用于安全与防御的红外探测器
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- 该装置将用于搜索可能发生爆炸、毒气或恐怖袭击的地方。接下来，检测系统会通知可能存在的风险或威胁
- 铁路运输安全红外探测器
- - 更多信息
- 安全是铁路运输最重要的方面。然而，每年铁路交通中至少很少发生严重事故。
- 塑料分选采用中红外线性探测器阵列
- - 更多信息
- 大规模生产塑料制品的有效方法的发展已经彻底改变了许多行业，但是大规模回收的方法呢?
- 红外激光气体泄漏检测
- - 更多信息
- VIGO系统开发了一种制造仪器的独特技术，可以快速、方便地检测1 - 16 μm红外辐射。
- 医疗传感器
- - 更多信息
- 商业上可用的设备利用了VIGO系统开发的技术。那些是用来分析呼出空气的仪器。
- 工业红外传感器
- - 更多信息
- 该探测器用于监测化工、炼油、发电、食品和气溶胶生产行业的过程气体。
- 汽车传感器
- - 更多信息
- VIGO系统探测器无与伦比的速度和灵敏度使其在响应时间关乎数百人安全的应用中非常有用。
- 环境传感器
- - 更多信息
- 波兰的产品已经在监测大气成分的研究中心、工厂和发电厂的烟囱或无人气象气球上表现良好。

外延晶圆:我们满怀激情地服务于III-V半导体市场。
我们生产高品质III-V外延结构，用于复杂的电子产品，如激光器，光电探测器，晶体管，光伏电池和其他设备。作为市场上为数不多的公司之一，我们提供广泛的高质量外延晶圆，既可以大批量生产，也可以小批量测试。

- 砷化镓的基础产品
- - 更多信息
- AlGaAs /砷化镓:
  - QW边缘发射激光器
  - VCSELs
  - fet, hemt，肖特基二极管
  - 变容器
  GaAsP/GaAs:应变QW边缘发射激光器
  InGaAsP/GaAs: 808nm QW激光器
  InGaAs/AlGaAs/GaAs:应变QW激光器
  在/砷化镓:QD激光
  AlGaAs /砷化镓:被动的波导
  生产,规范
- 可根据产品
- - 更多信息
- InGaAsP/InP:应变或匹配的QW边缘发射激光器和soa 1300 - 1600nm
  InGaAs/InP: QW边缘发射激光器
  InGaAsP /输入:VCSEL的结构
  InAlGaAs/InP:边缘发射和VCSEL结构
  InGaAsP /输入:被动的设备
  InGaAs:光电探测器
  InAlAs InGaAs /输入:HEMTs
  生产,规范

环境技术21日xx

红外探测器

HgCdTe (MCT)光电探测器

选中的行

HgCdTe光电探测器

2.4 - 5.5 μ m，环境温度，光浸

HgCdTe光电探测器

2.4 - 4.5 μ m，环境温度，光浸

HgCdTe光电探测器

2.4 - 4.3µm，环境温度，光浸

HgCdTe光电探测器

2.9 - 5.5 μ m，环境温度，光浸

HgCdTe光电探测器

3.0 - 6.7 μ m，环境温度，光浸

HgCdTe光电探测器

3.0 - 6.9 μ m，环境温度，光浸

HgCdTe光电探测器

2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结

HgCdTe光电探测器

2.0 - 12.0 μ m，两级热电冷却，多结

HgCdTe光电探测器

2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结

全HgCdTe (MCT)光电探测器

光伏

3-8 μm红外光电探测器

PV-2TE

2-12 μm红外光电探测器热电制冷

PV-3TE

1-15 μm三级热电冷却光导探测器

PV-4TE

1.0 - 16.0µm HgCdTe四级热电冷却光导探测器

元太

2-8 μm红外光电探测器光学浸没

PVI-2TE

2-12 μm红外光电探测器采用热电冷却光学浸没

PVI-3TE

2-12 μm红外光电探测器采用热电冷却光学浸没

PVI-4TE

2-12 μm红外光电探测器采用热电冷却光学浸没

PVM

8-11 μm红外光伏多结探测器

PVM-2TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电制冷

PVMI

8-11 μm红外光伏多结探测器光学浸没

PVMI-2TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没

PVMI-3TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没

PVMI-4TE

8-11 μ m红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没

PEM

PEMI

HgCdTe (MCT)光导探测器

选中的行

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36

1.0 - 14.0 μ m，三级热电冷却，光学浸没

全HgCdTe (MCT)光导探测器

个人电脑

2-11 μ m红外光电导体

PC-2TE

2-13 μ m红外光电导体热电冷却

PC-3TE

2-13 μ m红外光电导体热电冷却

PC-4TE

2-14 μ m红外光电导体热电冷却

一种总线标准

2-11 μ m红外光电导体光浸

PCI-2TE

2-13 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没

PCI-3TE

2-13 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没

PCI-4TE

2-14 μ m红外光电导体热电冷却光学浸没

在/ InAsSb光电探测器

PVA

2.0 - 5.5 μ m，环境温度

PVA-2TE

2.0 - 5.5 μ m，两级热电冷却

PVIA