VIGO systems S.A.是世界领先的中长波长标准和定制高科技非冷却光电探测器制造商。80年代,在军事技术学院,由哈布教授领导的团队。Joseph Piotrowski开发了一种独特的技术,用于生产不需要低温冷却的探测器,然后将其应用到一家新成立的公司。80年代,在军事技术学院,由哈布教授领导的团队。Joseph Piotrowski开发了一种独特的技术,用于生产不需要低温冷却的探测器,然后将其应用到一家新成立的公司。
在VIGO生产的探测器用于不同的领域,如:
本系列使用方便,不需要冷却或散热器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的包。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
的PV-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光伏探测器在两级热电冷却器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
PC-3TE系列具有基于复杂的HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光导探测器,具有最佳的性能和稳定性。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。器件应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f的噪声,低频性能降低。1/f噪声角频率随截止波长的增大而增大。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰影响。
PC-4TE系列具有基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光导探测器,具有最佳的性能和稳定性。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。器件应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f的噪声,低频性能降低。1/f噪声角频率随截止波长的增大而增大。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰影响。
的元太-λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光伏探测器,光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选),以不同的接受角度和饱和水平。本系列使用方便,不需要冷却或散热器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的包。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
未冷却,浸入式:是的
的PVI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在两级热电冷却器上的红外光伏探测器,光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选),用于不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
两级TE冷却,浸泡:是的
的PVI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在三级热电冷却器上配备红外光伏探测器,光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选),用于不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
的PVI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光伏探测器在四级热电冷却器上,光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选),以不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
的PVM -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的红外多结光伏探测器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗口的包。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器
的PVM-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外多结光伏探测器在两级热电冷却器。
该器件经过优化,在λopt,大面积器件的最大性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体,优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
PEM系列探测器的工作原理是半导体中的光电磁效应。该器件通常在10.6 μm处得到最佳性能优化。
该探测器包括基于的有源元件(HgCd) Te带隙工程与选定的成分和掺杂剖面,微型永磁体产生磁场。的PEM探测器适用于10.6 μm辐射的外差探测。无闪烁噪声,可同时用于探测2 ~ 11 μm范围内的连续波和低频调制辐射。可根据要求提供定制设备,如各种尺寸的单个元素、象限单元和多元素阵列、各种专门的包和连接器。标准探测器可在专门的PEM包(SMA连接器)wZnSeAR窗户
的个人电脑-λopt (λopt -最佳波长微米)特征红外光导探测器。
本系列使用方便,不需要冷却或散热器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体,优化掺杂和复杂的表面处理,实现了最高的性能和稳定性。
标准检测器以TO39或BNC包的形式提供,不含窗口。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
的PC-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光导探测器在两级热电冷却器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体,优化掺杂和复杂的表面处理,实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8包装wAl2O3或wZnSeAR窗口。还可以使用其他包、窗口和连接器。
的PC-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在三级热电冷却器上采用红外光导探测器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体,优化掺杂和复杂的表面处理,实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准检测器可在带wznar窗口的TO8包中使用。还可以使用其他包、窗口和连接器。
的PC-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在四级热电冷却器上采用红外光导探测器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。由于1/f的噪声,在低频(ងkHz)的性能降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体,优化掺杂和复杂的表面处理,实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准检测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。还可以使用其他包、窗口和连接器。
的一种总线标准-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有红外光导探测器,光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选),以不同的接受角度和饱和水平。本系列使用方便,不需要冷却或散热器。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体,优化掺杂和复杂的表面处理,实现了最高的性能和稳定性。标准检测器以TO39或BNC包的形式提供,不含窗口。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
的PCI-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有两级热电冷红外光导探测器,光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选),以不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体,优化掺杂和复杂的表面处理,实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8包装wAl2O3或wZnSeAR窗口。还可以使用其他包、窗口和连接器。
的PCI-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光导探测器在三级热电冷却器上,光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选),以不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体,优化掺杂和复杂的表面处理,实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准检测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。其他包、窗口和连接器也可用。
的PCI-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光导探测器在四级热电冷却器上,光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选),以不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化,在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体,优化掺杂和复杂的表面处理,实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元,多元素阵列,不同的窗口,透镜和光学滤波器可根据要求。标准检测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。还可以使用其他包、窗口和连接器。
PVIA-3是一种基于InAs合金的非冷却红外光伏探测器,为了提高器件的性能,采用光学浸入法。该探测器温度稳定,可达300°C,机械耐用。它不含汞或镉,符合RoHS指令。
特点:
模型:
PVIA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电冷却红外光伏探测器,通过光学浸入来提高器件的性能。该探测器温度稳定,可达300°C,机械耐用。它不含汞或镉,符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口可防止不必要的干扰效应。
特点:
模型:
将探测器、前置放大器和TEC控制器集成在紧凑的密封封装中具有重要的优点:小型化、更好的高频性能、抗电磁干扰(EMI)、提高可靠性、易于使用和降低成本。
通用模块系列有三种型号:
输出信号为标准电压,阻抗为50欧姆(50Ω)。额外的直流输出可作为标准。
可编程检测模块可以控制许多参数,如带宽和增益,甚至在正常运行期间。
这为测量系统的设计者提供了全新的可能性。
在完全模拟输入电路中,使用许多开关元件,甚至使用可变的数字控制电容来补偿跨阻输入级。
其内部架构类似于标准检测模块。主要的区别是大多数内部功能块都是可配置的。
为了提供关于模块状态的信息,它配备了偏置和直流偏置监测电路。有可能建立一个具有自适应增益或过载保护的系统。可调带宽可以帮助实现各种信号类型的最佳噪声性能。
许多应用需要高时间分辨率,或等效地,高频率带宽光学检测。
针对这些应用,VIGO开发了超高速检测模块系列。
有必要在电子学和力学方面采用一种特殊的设计。该系统被设计为支持高速信号的传播,安装探测器到机箱尽可能接近PCB板和输入电路。制造过程需要用特定的检测器对电路进行微调。
此外,它有直流显示器。这是一个直流耦合信号,直接从第一级前置放大器。应该考虑到直流显示器输出处的1vdc偏移量。
此输出可用于:
UHSM是市场上速度最快的长波长红外探测模块系列之一。
MicroM是一种采用非冷却光伏多结探测器的微尺寸检测模块。优化后的工作谱范围为2 ~ 12 μ m,频率带宽为DC ~ 10 MHz
在空间有限的长波长红外测量系统中,它易于组装。
皮普是一系列可编程的“智能”前置放大器。由于现代化的内部配置,它提供了极大的灵活性,结合优越的信号参数和高可靠性。内置电压监视器允许检查和优化工作条件(电源电压,检测器偏置电压,第一和最后一级输出电压偏移等)。
也有可能改变增益,耦合(AC/DC),优化第一级跨阻抗和手动或自动抑制电压偏移。
优化后的参数存储在内部EEPROM存储器中,上电后自动加载。可以随时重置为默认设置。对于检测模块,安全探测器的偏差调整默认是阻塞的。用户可以在订购时请求启用此选项。
为了正确操作PTCC-01 TEC控制器是必需的。
特点:
PTCC-01是一系列可编程,精密低噪声热电冷却器控制器。他们被设计用于与VIGO红外探测模块:LabM-I-6, LabM-I-10.6和其他设备包含TE冷却探测器和前置放大器:PIP, MIP, FIP, SIP-TO8。
特点:
AlGaAs /砷化镓:
GaAsP/GaAs:应变QW边缘发射激光器
InGaAsP/GaAs: 808nm QW激光器
InGaAs/AlGaAs/GaAs:应变QW激光器
InAs/GaAs: QD激光器
AlGaAs/GaAs无源波导
按规格制造
InGaAsP/InP:应变或匹配的QW边缘发射激光器和SOAs 1300 - 1600nm
InGaAs/InP: QW边缘发射激光器
InGaAsP/InP: VCSEL结构
InAlGaAs/InP:边缘发射和VCSEL结构
InGaAsP/InP:无源设备
InGaAs:光电探测器
InAlAs InGaAs /输入:HEMTs
按规格制造