Vigo的非冷却红外光子探测器

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VIGO systems S.A.是世界领先的中长波长标准和定制高科技非冷却光电探测器制造商。80年代，在军事技术学院，由哈布教授领导的团队。Joseph Piotrowski开发了一种独特的技术，用于生产不需要低温冷却的探测器，然后将其应用到一家新成立的公司。80年代，在军事技术学院，由哈布教授领导的团队。Joseph Piotrowski开发了一种独特的技术，用于生产不需要低温冷却的探测器，然后将其应用到一家新成立的公司。
在VIGO生产的探测器用于不同的领域，如:
- 工业。激光功率控制和校准;
- 国防和安全——智能弹药、预警系统;
- 环保——气体分析，实时水质控制;
- 医疗保健——无创血液分析;
- 传输。快速运动物体的温度分布分析。
- 研发-精密无损光谱学。

产品组合

红外探测器
基于HgCdTe材料的探测器，在所有已发现的适合红外探测的材料中提供了最高的性能。我们的探测器优化了MWIR (3-8μm)和LWIR (8-16μm)光谱范围。它非常适合为工业和环境保护制作气体传感器。它们是CRDS, TDLAS或FTIR光谱的理想解决方案。非常高的检测参数和操作速度使其非常适合应用，如泄漏检测，运输安全或国防应用。我们还提供基于InAs或InAsSb的检测器，符合RoHS标准，适用于消费市场。

HgCdTe (MCT)光伏探测器
光伏探测器(光电二极管)是具有一个(PV)或多个(PVM)同质或异质结的半导体结构。被吸收的光子产生的载流子在触点处被收集，产生外部光电流。光电二极管具有复杂的电流电压特性。该器件可以在无闪烁零偏置或反向电压下工作。为了提高响应性、差分电阻、降低炮丸噪声、提高高频性能和增加动态范围，经常使用反向偏置电压。

选中的行

- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 5.5 μ m，室温，光浸
  PVI-5-1×1-TO39-NW-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 5 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形GaAs微透镜整体集成。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 4.5 μ m，室温，光浸
  PVI-4-1×1-TO39-NW-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该装置在4 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形GaAs微透镜整体集成。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.4 - 4.3 μ m，室温，光浸
  PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 4.0 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形GaAs微透镜整体集成。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰效应。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.9 - 5.5 μ m，室温，光浸
  PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 5.0 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形GaAs微透镜整体集成。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰效应。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 3.0 - 6.7 μ m，室温，光浸
  PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 6 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形GaAs微透镜整体集成。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 3.0 - 6.9 μ m，室温，光浸
  PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光伏探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 6 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形GaAs微透镜整体集成。反向偏置Vb可以显著提高响应速度和动态范围。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结
  pvm - 10.6 - 1×1 - to39 - nw - 90是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光伏多结探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件设计为λopt = 10.6 μ m时的最大性能，特别适用于检测CW和低频调制辐射的大活性区域探测器。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，两级热电冷却，多结
  pvm - 2 - te - 10.6 - 1×1 -亚马孙河wznsear - 70是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却IR光伏多结探测器，具有最佳的性能和稳定性。该器件设计为λopt = 10.6 μ m时的最大性能，特别适用于检测CW和低频调制辐射的大活性区域探测器。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰影响。
- HgCdTe (MCT)光伏探测器
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结
  pem - 10.6 - 2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48非冷红外光伏多结HgCdTe探测器是基于半导体中的光电磁效应——光生电子与磁场空穴的空间分离。该器件设计为λopt = 10.6 μ m时的最大性能，特别适用于检测CW和低频调制辐射的大活性区域探测器。该设备安装在专门的封装中，内置磁路和SMA信号输出连接器。3°楔形硒化锌防反射涂层窗，防止不必要的干扰效应，防止污染。

所有HgCdTe (MCT)光伏探测器

- 光伏
- - 更多信息
  - 数据表
- 3-8 μm红外光伏探测器
  的PV -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的红外光伏探测器。
  本系列使用方便，不需要冷却或散热器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗户的包。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PV-3:最佳波长λ选择值:3.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥6.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤350ns
  - pv - 3.4:最佳波长λ可选值:3.4 μ m，检测率D*(λ可选值):≥5.0 × 10cm·Hz1/2/W9，时间常数τ≤260ns
  - PV-4:最佳波长λ选择值:4.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤150ns
  - PV-5:最佳波长λ选择值:5.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥1.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤120ns
  - PV-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥5.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
- PV-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光伏探测器热电冷却
  的PV-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光伏探测器在两级热电冷却器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PV-2TE-3:最佳波长λ选择值:3.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥7.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 2 - te - 3.4:最佳波长λ选择值:3.4 μ m，检测率D*(λ选择值):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-2TE-4:最佳波长λ选择值:4.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥3.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PV-2TE-5:最佳波长λ选择值:5.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥9 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤80ns
  - PV-2TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-2TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥2.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 2 - te - 10.6:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PV-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 1 ~ 15 μm三级热电冷却光导探测器
  PC-3TE系列具有基于复杂的HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光导探测器，具有最佳的性能和稳定性。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。器件应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f的噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随截止波长的增大而增大。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰影响。
  - PV-3TE-3:最佳波长λ选择值:3.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 3 - te - 3.4:最佳波长λ选择值:3.4 μ m，检测率D*(λ选择值):≥7.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-3TE-4:最佳波长λ选择值:4.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤100ns
  - PV-3TE-5:最佳波长λ选择值:5.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥1.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤80ns
  - PV-3TE-6:最佳波长λ选择值:6.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-3TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 3 - te - 10.6:最佳波长λ选择:10.6 μ m，检测率D*(λ选择):≥1.5x108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PV-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 1.0 - 16.0 μ m HgCdTe四级热电冷却光导探测器
  PC-4TE系列具有基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光导探测器，具有最佳的性能和稳定性。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。器件应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f的噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随截止波长的增大而增大。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰影响。
  - PV-4TE-3:最佳波长λ选择值:3.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥1.5x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - pv - 4 - te - 3.4:最佳波长λ选择值:3.4 μ m，检测率D*(λ选择值):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PV-4TE-4:最佳波长λ选择值:4.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥6.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PV-4TE-5:最佳波长λ选择值:5.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥1.5x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤80ns
  - PV-4TE-6:最佳波长λ选择值:6.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥5.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PV-4TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥4.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - pv - 4 - te - 10.6:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥2.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤25ns
- 元太
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-8 μm红外光伏探测器光学浸没
  的元太-λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光伏探测器，光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。本系列使用方便，不需要冷却或散热器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗户的包。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  非冷却,浸:是的
  - PVI-3:最佳波长λ选择值:3.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥5.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤350ns
  - 元太- 3.4:最佳波长λ选择值:3.4 μ m，检测率D*(λ选择值):≥4.5x1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤260ns
  - PVI-4:最佳波长λ选择值:4.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥2.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤150ns
  - PVI-5:最佳波长λ选择值:5.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥9 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤120ns
  - PVI-6:最佳波长λ选择值:6.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤80ns
- PVI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光浸没
  的PVI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在两级热电冷却器上的红外光伏探测器，光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，用于不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
  两级TE冷却，浸泡:是的
  - PVI-2TE-3:最佳波长λ选择值:3.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥5.5x1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 2 - te - 3.4:最佳波长λ选择值:3.4 μ m，检测率D*(λ选择值):≥3.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-2TE-4:最佳波长λ选择值:4.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥2.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤100ns
  - PVI-2TE-5:最佳波长λ选择值:5.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥6.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤80ns
  - PVI-2TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥2.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-2TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - 元太- 2 - te - 10.6:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥1.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PVI-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光浸没
  的PVI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在三级热电冷却器上配备红外光伏探测器，光学浸入到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，用于不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVI-3TE-3:最佳波长λ选择值:3.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥7.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 3 - te - 3.4:最佳波长λ选择值:3.4 μ m，检测率D*(λ选择值):≥5.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-3TE-4:最佳波长λ选择值:4.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥3.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤100ns
  - PVI-3TE-5:最佳波长λ选择值:5.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥8 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤80ns
  - PVI-3TE-6:最佳波长λopt: 6.0 μ m，检测率D*(λopt):≥3.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-3TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - 元太- 3 - te - 10.6:最佳波长λ选择:10.6 μ m，检测率D*(λ选择):≥1.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤10ns
- PVI-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光浸没
  的PVI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光伏探测器在四级热电冷却器上，光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。可根据要求优化切割波长。反向偏置可以显著提高响应速度和动态范围。它还能提高在高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低在低频下的性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wAl2O3或wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVI-4TE-3:最佳波长λ选择值:3.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥8 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤280ns
  - 元太- 4 - te - 3.4:最佳波长λ选择值:3.4 μ m，检测率D*(λ选择值):≥7.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤200ns
  - PVI-4TE-4:最佳波长λ选择值:4.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥4.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤100ns
  - PVI-4TE-5:最佳波长λopt: 5.0 μ m，检测率D*(λopt):≥1.0 × 1011cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤80ns
  - PVI-4TE-6:最佳波长λ选择值:6.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥4.0 × 1010cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤50ns
  - PVI-4TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥4.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤45ns
  - PVI-4TE-10:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤25ns
- PVM
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器
  的PVM -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的红外多结光伏探测器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗户的包。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器
  - PVM-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，检测率D*(λ选择值):≥6.5x107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvm - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，探测度D*(λopt):≥1.0 × 107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.5ns
- PVM-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却
  的PVM-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外多结光伏探测器在两级热电冷却器。
  该器件经过优化，在λopt，大面积器件的最大性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户其他包、窗口和连接器也可用。
  - PVM-2TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvm - 2 - te - 10.6:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤3ns
- PVMI
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器光学浸没
  的PVMI -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)以红外多结光浸式光伏探测器为特色。
  器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。标准探测器可在TO39或BNC没有窗户的包。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PVMI-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥3.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 10.6:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤1.5ns
- PVMI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光浸没
  的PVMI-2TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在两级热电冷却器上采用红外多结光浸式光伏探测器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVMI-2TE-8:最佳波长λ可选值:8.0 μ m，探测率D*(λ可选值):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤4ns
  - pvmi - 2 - te - 10.6:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥1.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤3ns
- PVMI-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光浸没
  的PVMI-3TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在三级热电冷却器上采用红外多结光浸式光伏探测器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVMI-3TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥3.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤4ns
  - pvmi - 3 - te - 10.6:最佳波长λ选择值:10,6 μ m，检测率D*(λ选择值):≥1.5x109cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤3ns
- PVMI-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 8-11微米红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没
  的PVMI-4TE -λ的选择光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在四级热电冷却器上采用红外多结光浸式光伏探测器。
  器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。采用可变间隙实现了最高的性能和稳定性HgCdTe半导体，优化掺杂和复杂的表面处理。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在亚马孙河包和wZnSeAR窗户还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PVMI-4TE-8:最佳波长λ选择值:8.0 μ m，探测率D*(λ选择值):≥6.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤4ns
  - pvmi - 4 - te - 10.6:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥2.0 × 109cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤3ns
- PEM
- - 更多信息
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- PEM系列探测器的工作原理是半导体中的光电磁效应。该器件通常在10.6 μm处得到最佳性能优化。
  该探测器包括基于的有源元件(HgCd) Te带隙工程与选定的成分和掺杂剖面，微型永磁体产生磁场。的PEM探测器适用于10.6 μm辐射的外差探测。无闪烁噪声，可同时用于探测2 ~ 11 μm范围内的连续波和低频调制辐射。可根据要求提供定制设备，如各种尺寸的单个元素、象限单元和多元素阵列、各种专门的包和连接器。标准探测器可在专门的PEM包(SMA连接器)wZnSeAR窗户
  - pem - 10.6:最佳波长λopt: 10.6 μ m，探测度D*(λopt):≥1.0 × 107cm·Hz1/2/W，时间常数τ:≤1.2ns
- PEMI
- - 更多信息
  - 数据表
- 2.0 - 12.0 μ m，室温，光浸，光电磁
  pemi - 10.6是一种基于半导体光电磁效应——光产生的电子与磁场空穴的空间分离的非冷却HgCdTe光伏光浸红外探测器。该器件设计为10.6 μ m的最大性能，特别适用于检测连续波和低频调制辐射的大活性区域探测器。这些设备安装在专门的包装中，内含磁路。3°楔形硒化锌防反射涂层窗(wZnSeAR)可以防止不必要的干扰效应，防止污染。
  - pemi - 10.6:最佳波长λ选择值:10.6 μ m，探测率D*(λ选择值):≥1.0 × 108cm·Hz1/2/W，时间常数τ≤1.2n

HgCdTe (MCT)光导探测器
基于光导效应的光导探测器。红外辐射在半导体有源区产生载流子，降低其电阻。通过施加恒定电压偏置，电阻的变化被感知为电流的变化。该器件具有近似线性的电流-电压特性。光导体中的电场在整个器件上是恒定的。
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选中的行

- - PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36
  - - 更多信息
    - 数据表
  - 1.0 - 14.0 μ m，三级热电冷却，光浸
    PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一种三级热电冷却红外光导体，基于复杂的HgCdTe异质结构，具有最佳的性能和稳定性。该器件在λopt = 12 μ m时性能最佳。为了提高器件的性能，探测器元件与超半球形GaAs微透镜整体集成。光导检测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f的噪声，低频性能降低。3°楔形硒化锌防反射涂层(wZnSeAR)窗口可以防止不必要的干扰影响。

所有HgCdTe (MCT)光导探测器

- 个人电脑
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  - 数据表
- 2-11 μ m红外光导体
  的个人电脑-λopt (λopt -最佳波长微米)特征红外光导探测器。
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:没有
  - 包:BNC T039
  - 亮点:没有
  本系列使用方便，不需要冷却或散热器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。
  标准检测器以TO39或BNC包的形式提供，不含窗口。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - 电脑:波长:4，检测率:≤2,0x10^9，时间常数:≤12000
  - 间使:波长:5，检测率:≤1,0x10^9，时间常数:≤5000
  - 内关:波长:6，检测率:≤3,0x10^8，时间常数:≤500
  - 中冲:波长:9，检测率:≤2,0x10^7，时间常数:≤10
  - PC-10 6:波长:10,6，检测率:≤9,0x10^6，时间常数:≤3
- PC-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:两级
  - 包:亚马孙河,TO66
  的PC-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光导探测器在两级热电冷却器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8包装wAl2O3或wZnSeAR窗口。还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PC-2TE-4:波长:4，探测率:≤2,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤30000
  - PC-2TE-5:波长:5，探测率:≤1,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤20000
  - PC-2TE-6:波长:6，检测率:≤3,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4000
  - PC-2TE-9:波长:9，检测率:≤4.5 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤40
  - PC-2TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤1,4x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤10
  - PC-2TE-12:波长:12，检测率:≤4.5 × 10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤3
  - PC-2TE-13:波长:13，检测率:≤2,3x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤2
- PC-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:三级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PC-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在三级热电冷却器上采用红外光导探测器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准检测器可在带wznar窗口的TO8包中使用。还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PC-3TE-9:波长:9，检测率:≤1,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤60
  - PC-3TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤2.5 x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤20
  - PC-3TE-12:波长:12，检测率:≤3,0x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤5
  - PC-3TE-13:波长:13，检测率:≤4.5 × 10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4
- PC-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-14 μ m红外光导体热电冷却
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:Non-immersion
  - 冷却:四级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PC-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)在四级热电冷却器上采用红外光导探测器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。由于1/f的噪声，在低频(ងkHz)的性能降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准检测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PC-4TE-9:波长:9，检测率:≤2,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤80
  - PC-4TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤3,5x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤30
  - PC-4TE-12:波长:12，检测率:≤2,0x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤7
  - PC-4TE-13:波长:13，检测率:≤1,0x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤6
  - PC-4TE-14:波长:14，检测率:≤6,0x10^7，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤5
- 一种总线标准
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-11 μ m红外光导体光浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:没有
  - 包:BNC T039
  - 亮点:没有
  的一种总线标准-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有红外光导探测器，光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。本系列使用方便，不需要冷却或散热器。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。标准检测器以TO39或BNC包的形式提供，不含窗口。可以根据要求提供各种窗口、其他包和连接器。
  - PCI-4:波长:4，检测率:≤6,0x10^9，时间常数:≤12000
  - PCI-5:波长:5，检测率:≤4,0x10^9，时间常数:≤5000
  - PCI-6:波长:6，检测率:≤1,0x10^8，时间常数:≤500
  - PCI-9:波长:9，检测率:≤1,0x10^8，时间常数:≤10
  - PCI-10 6:波长:10,6，检测率:≤8,0x10^7，时间常数:≤3
- PCI-2TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光导体热电冷却光浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:两级
  - 包:亚马孙河,TO66
  的PCI-2TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)具有两级热电冷红外光导探测器，光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准探测器可在TO8包装wAl2O3或wZnSeAR窗口。还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PC-2TE-4:波长:4，探测率:≤4,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤30000
  - PC-2TE-5:波长:5，探测率:≤2,0x10^10，窗口:楔形Al₂O₃，时间常数:≤20000
  - PC-2TE-6:波长:6，检测率:≤1,0x10^10，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤4000
  - PC-2TE-9:波长:9，检测率:≤4,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤40
  - PC-2TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤1,0x10^9，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤10
  - PC-2TE-12:波长:12，检测率:≤4.5 × 10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤3
  - PC-2TE-13:波长:13，检测率:≤2,3x10^8，窗口:楔形ZnSe AR涂层，时间常数:≤2
- PCI-3TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-13 μ m红外光导体热电冷却光浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:三级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PCI-3TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光导探测器在三级热电冷却器上，光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准检测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。其他包、窗口和连接器也可用。
  - PCI-3TE-9:波长:9，检测率:≤6,2 × 10^9，时间常数:≤60
  - PCI-3TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤2.5 × 10^9，时间常数:≤20
  - PCI-3TE-12:波长:12，检测率:≤9,0x10^8，时间常数:≤5
  - PCI-3TE-13:波长:13，探测率:≤4,5 × 10^8，时间常数:≤4
- PCI-4TE
- - 更多信息
  - 数据表
- 2-14 μ m红外光导体热电冷却光浸没
  - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:光电导
  - 浸没式:浸
  - 冷却:四级
  - 包:亚马孙河,TO66
  - 亮点:楔形ZnSe AR涂层
  的PCI-4TE-λopt光电探测器系列(λopt -最佳波长微米)的特点是红外光导探测器在四级热电冷却器上，光学浸没到高折射率GaAs超半球形(标准)或半球形或任何中间透镜(可选)，以不同的接受角度和饱和水平。器件经过优化，在λopt处达到了最佳性能。切割波长受GaAs透过率的限制(~ 0.9µm)。需要偏压来操作光电流。低频(< 20khz)的性能由于1/f的噪声而降低。通过应用可变间隙(HgCd)Te半导体，优化掺杂和复杂的表面处理，实现了最高的性能和稳定性。自定义设备与象限单元，多元素阵列，不同的窗口，透镜和光学滤波器可根据要求。标准检测器在带有wZnSeAR窗口的TO8包中可用。还可以使用其他包、窗口和连接器。
  - PCI-4TE-9:波长:9，检测率:≤1,0x10^10，时间常数:≤80
  - PCI-4TE-10 6:波长:10,6，检测率:≤3,0x10^9，时间常数:≤30
  - PCI-4TE-12:波长:12，探测率:≤2,0x10^9，时间常数:≤7
  - PCI-4TE-13:波长:13，检测率:≤1,0x10^9，时间常数:≤6
  - PCI-4TE-14:波长:14，检测率:≤3,0x10^8，时间常数:≤5

在/ InAsSb光电探测器
其中半导体层由InAs或InAsSb材料制成的光伏探测器(光电二极管)。被吸收的光子产生的载流子被收集在具有复杂电流电压特性的电路上。该器件可以在无闪烁零偏置或反向电压下工作。这些探测器不含镉和汞。因此，该探测器符合RoHS指令，可以在消费市场上使用。
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- PVA
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  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，环境温度
  PVA是一种基于InAs合金的非冷却红外光伏探测器。该设备温度稳定，可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。
  特点:
  - 在2.0- 5.5 μ m谱范围内的高性能
  - 操作环境温度
  - 温度稳定可达300°C
  - 遵守RoHS指令
  - 不需要的偏见
  - 没有1 / f噪声
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸没:否，封装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸没:否，封装:TO39，时间常数τ≤60 ns
- PVA-2TE
- - 更多信息
  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，二级热电冷却
  PVA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电冷却红外光伏探测器。该设备温度稳定，可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口可防止不必要的干扰效应。
  特点:
  - 在2.0- 5.5 μ m谱范围内的高性能
  - 操作环境温度
  - 温度稳定可达300°C
  - 遵守RoHS指令
  - 不需要的偏见
  - 没有1 / f噪声
  模型:
  - PVA-2TE-3两级TE冷却，浸没:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5两级TE冷却，浸没:否，封装:TO8，时间常数τ≤15ns
- PVIA
- - 更多信息
  - PDF目录
- 2.0 - 5.5 μ m，室温，光浸
  PVIA-3是一种基于InAs合金的非冷却红外光伏探测器，为了提高器件的性能，采用光学浸入法。该探测器温度稳定，可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。
  特点:
  - 在2.0- 5.5 μ m谱范围内的高性能
  - 两阶段热电的冷却
  - 温度稳定可达300°C
  - 遵守RoHS指令
  - 应用超半浸没微透镜技术
  - 不需要的偏见
  - 没有1 / f噪声
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸没:否，封装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸没:否，封装:TO39，时间常数τ≤60 ns
  - PVA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸没:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸没:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-3冷却:未冷却，浸没:是的，封装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVIA-5冷却:未冷却，浸没:是的，封装:TO39，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸没:是的，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸没:是的，封装:TO8，时间常数τ≤5 ns
- PVIA-2TE
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  - PDF目录
- 2.0 - 3.4 μ m，二级热电冷却
  PVIA-2TE-3是一种基于InAs合金的两级热电冷却红外光伏探测器，通过光学浸入来提高器件的性能。该探测器温度稳定，可达300°C，机械耐用。它不含汞或镉，符合RoHS指令。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口可防止不必要的干扰效应。
  特点:
  - 在2.0- 5.5 μ m谱范围内的高性能
  - 两阶段热电的冷却
  - 温度稳定可达300°C
  - 遵守RoHS指令
  - 应用超半浸没微透镜技术
  - 不需要的偏见
  - 没有1 / f噪声
  模型:
  - PVA-3冷却:未冷却，浸没:否，封装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVA-5冷却:未冷却，浸没:否，封装:TO39，时间常数τ≤60 ns
  - PVA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸没:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸没:否，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-3冷却:未冷却，浸没:是的，封装:TO39，时间常数τ≤20 ns
  - PVIA-5冷却:未冷却，浸没:是的，封装:TO39，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-3冷却:两级TE冷却，浸没:是的，封装:TO8，时间常数τ≤15 ns
  - PVIA-2TE-5冷却:两级TE冷却，浸没:是的，封装:TO8，时间常数τ≤5 ns

HgCdTe (MCT)数组
活性表面由两种以上元素组成的红外探测器。该报价包括基于光电二极管和光导体的象限几何探测器。非常适合国防和安全应用，以及XY或差分测量。
- 更多信息
- PDF目录

- PCQ-10 6
- - 更多信息
  - 数据表
- - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:象限几何
  - 浸没式:Non-immersion
  2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结象限
  pvmq - 10.6是一种基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光伏多结象限探测器，具有最佳的性能和稳定性。象限探测器由四个独立的有源元件组成。该器件在10.6 μ m时性能最佳。PVMQ探测器的主要应用是激光光束轮廓和定位。
  - 冷却:没有
  - 波长:10日,6
  - 包:亚马孙河
  - 亮点:没有
  - 探测能力:≥9,0 x10 ^ 6
  - 时间常数:≤5
- PVMQ-10 6
- - 更多信息
  - 数据表
- - 材料:未经中华人民共和国交通部
  - 类型:象限几何
  - 浸没式:Non-immersion
  1.0 - 12.0 μ m，环境温度，象限
  pcq - 10.6是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外光导象限探测器，具有最佳的性能和稳定性。象限探测器由四个独立的有源元件组成。该器件在10.6 μ m时性能最佳。检测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f的噪声，低频性能降低。PCQ探测器的主要应用是激光光束分析和定位。
  - 冷却:没有
  - 波长:10日,6
  - 包:亚马孙河
  - 亮点:没有
  - 探测能力:≥1,0 x10 ^ 7
  - 时间常数:≤1,5

专用的电子产品
我们还为我们的探测器提供专用电子设备。前置放大器，TEC控制器，电源等配件。
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选中的行
红外探测模块将红外光电探测器、信号处理电子、光学、散热系统等组件集成在一个通用的封装中。产品选择在高功能性的基础上，旨在许多应用，如泄漏检测，气体分析，快速移动物体的温度控制。集成的其他优点是提高高频(HF)性能，输出信号标准化和小型化。选定的产品线保证短订单履行日期和有效价格。
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- 嗯系列
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- 将探测器、前置放大器和TEC控制器集成在紧凑的密封封装中具有重要的优点:小型化、更好的高频性能、抗电磁干扰(EMI)、提高可靠性、易于使用和降低成本。
  通用模块系列有三种型号:
- 优化的操作光谱范围为3 um至6.7 um和频率带宽从直流到1 MHz光电探测器浸没。
- 优化的工作光谱范围为2微米到12微米，频率带宽从直流到100兆赫，光伏多结探测器光学浸没
- 优化了在相同的光谱范围和相同的频率带宽，但与光伏多结探测器无浸没微透镜。
- LabM系列
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- 可编程检测模块可以控制许多参数，如带宽和增益，甚至在正常运行期间。
  这为测量系统的设计者提供了全新的可能性。
  在完全模拟输入电路中，使用许多开关元件，甚至使用可变的数字控制电容来补偿跨阻输入级。
  其内部架构类似于标准检测模块。主要的区别是大多数内部功能块都是可配置的。
  为了提供关于模块状态的信息，它配备了偏置和直流偏置监测电路。有可能建立一个具有自适应增益或过载保护的系统。可调带宽可以帮助实现各种信号类型的最佳噪声性能。
- 嗯系列
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- 许多应用需要高时间分辨率，或等效地，高频率带宽光学检测。
  针对这些应用，VIGO开发了超高速检测模块系列。
  有必要在电子学和力学方面采用一种特殊的设计。该系统被设计为支持高速信号的传播，安装探测器到机箱尽可能接近PCB板和输入电路。制造过程需要用特定的检测器对电路进行微调。
  此外，它有直流显示器。这是一个直流耦合信号，直接从第一级前置放大器。应该考虑到直流显示器输出处的1vdc偏移量。
  此输出可用于:
  - 通过探测器测量平均光功率，
  - 光电探测器的暗电流监测。
  UHSM是市场上速度最快的长波长红外探测模块系列之一。
- MicroM系列
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- MicroM是一种采用非冷却光伏多结探测器的微尺寸检测模块。优化后的工作谱范围为2 ~ 12 μ m，频率带宽为DC ~ 10 MHz
  在空间有限的长波长红外测量系统中，它易于组装。

可配置的线
全系列前置放大器专用于每种类型的VIGO系统红外探测器。模块的可配置线允许选择有源区域，前置放大器的类型和检测模块的带宽。这使得您可以根据自己应用程序的需要调整模块。
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- 航
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- “一体化”
  互阻抗前置放大器
  航是新一代的跨阻抗，交流或直流耦合前置放大器。它设计用于有偏或无偏VIGO检测器。AIP是一种“一体机”设备——一个前置放大器与一个风扇和一个热电冷却器控制器集成在一个紧凑的外壳中。它是非常方便和用户友好的设备，因此可以很容易地在各种应用中使用。
- 工厂检验计划
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  - 数据表
- 快
  互阻抗前置放大器
  工厂检验计划是一系列高速、跨阻抗、交流耦合前置放大器，旨在与偏压TE冷却VIGO探测器一起工作。快速前置放大器实现精确的I-V转换，探测器偏置高达800 mV，同时保持紧凑的尺寸和保持低电流噪声。FIP自带风扇，不需要额外散热。它适用于要求宽频带的应用。额外的直流输出可作为一个选项
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 带宽可达1ghz
  - 精确的电流-电压转换
  - 探测器偏置可能性高达+800 mV
  - 低电流噪声
  - 与高电阻检测器合作
  - 有效冷却至4级TE冷却器
- 米兰理工大学管理学院
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  - 数据表
- 标准
  互阻抗前置放大器
  米兰理工大学管理学院是一系列中等尺寸的跨阻抗，直流或交流耦合前置放大器，用于有偏或无偏VIGO检测器。MIP配有风扇，不需要任何额外的外部散热器。它是一种最方便使用的前置放大器，肯定有助于工作。
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 高信噪比
  - 带宽可达250兆赫
  - 专用于操作2级，3级和4级TE冷却探测器
  - 可根据要求定制配置
  - 额外可用的配件
- 皮普
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  - 数据表
- 可编程的
  互阻抗前置放大器
  皮普是一系列可编程的“智能”前置放大器。由于现代化的内部配置，它提供了极大的灵活性，结合优越的信号参数和高可靠性。内置电压监视器允许检查和优化工作条件(电源电压，检测器偏置电压，第一和最后一级输出电压偏移等)。
  也有可能改变增益，耦合(AC/DC)，优化第一级跨阻抗和手动或自动抑制电压偏移。
  优化后的参数存储在内部EEPROM存储器中，上电后自动加载。可以随时重置为默认设置。对于检测模块，安全探测器的偏差调整默认是阻塞的。用户可以在订购时请求启用此选项。
  适当的操作PTCC-01 TEC控制器是必需的。
  特点:
  - 紧凑的尺寸
  - 高信噪比
  - 专用于操作2-，3-和4级TE冷却或非冷却探测器
  - 用户可设置的参数:
    - 输出电压偏置
    - 增益(40分贝范围)
    - 带宽:150 kHz, 1.5 MHz, 20 MHz, 1.5 MHz, 15 MHz, 200 MHz
    - AC / DC耦合
    - 检测器参数(在某些情况下，有限制)
  - 可编程模块和可编程控制器是可互换的
  - 高度灵活的配置允许用户适应模块的各种系统参数
  - 额外可用的配件
- SIP-TO8
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  - 数据表
- 小，用于TE冷却探测器
  互阻抗前置放大器
  SIP-TO8是一系列超小的跨阻抗，交流或直流耦合前置放大器。它设计用于有偏或无偏探测器。它与TO8封装的热电冷却探测器兼容。SIP-TO8专用于OEM应用，需要外部散热器(MHS-2)。有可能调整增益(频率带宽高达100兆赫的设备)。
  特点:
  - 非常小的尺寸
  - 高信噪比
  - 带宽可达250兆赫
  - 专用于操作2级，3级和4级TE冷却探测器
  - 有偏和无偏检测器兼容
  - 可调增益(带宽可达100 MHz)
  - 完全保护不超过电源电压和反转电源极性
  - 根据要求定制修改
  - 额外可用的配件
- SIP-TO39
- - 更多信息
  - 数据表
- 小，用于TE冷却探测器
  互阻抗前置放大器
  SIP-TO038是一系列超小的跨阻抗，交流或直流耦合前置放大器。它设计用于有偏或无偏探测器。它与TO39封装中的VIGO热电冷却探测器兼容。SIP-TO39专用于OEM应用，不需要外部散热器。有可能调整增益(频率带宽高达100兆赫的设备)。
  特点:
  - 非常小的尺寸
  - 高信噪比
  - 带宽可达250兆赫
  - 专用于操作2级，3级和4级TE冷却探测器
  - 有偏和无偏检测器兼容
  - 可调增益(带宽可达100 MHz)
  - 完全保护不超过电源电压和反转电源极性
  - 根据要求定制修改
  - 额外可用的配件

配件
我们为我们的产品提供所有必要的配件。电气附件，如热电冷却器控制器和前置放大器电源。机械配件，如探测器和红外模块支架，底座安装系统和电缆专用于我们的产品。
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- 前置放大器电源PPS-03
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  - 数据表
- 通用
  PPS-03是一种小尺寸，易于使用和通用的前置放大器电源，设计用于操作VIGO检测模块micro -10.6和其他设备，包含TO39封装的非冷却探测器和前置放大器SIP-TO39。
  的PPS-03前置放大器电源设计用于VIGO系统红外探测模块(包括非冷却红外探测器)的供电。
  特点:
  - 专用于供应非冷却探测器
  - 非常小的尺寸
  - 低成本
- 热电冷却器控制器PTCC-01
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- 可编程的
  PTCC-01是一系列可编程，精密低噪声热电冷却器控制器。他们被设计用于与VIGO红外探测模块:LabM-I-6, LabM-I-10.6和其他设备包含TE冷却探测器和前置放大器:PIP, MIP, FIP, SIP-TO8。
  可用版本:
  PTCC-01-OEM
  - TEC控制器和无外壳的前置放大器电源
  - 可通过网页上的PC软件进行配置
  - 状态LED指示灯和状态/数据连接器
  PTCC-01-BAS
  - 小型封装TEC控制器和前置放大器电源
  - 可通过网页上的PC软件进行配置
  - 状态LED指示器
  PTCC-01-ADV
  - 小型封装TEC控制器和前置放大器电源
  - 可通过内置功能键或网页上的PC软件进行配置
  - 状态指示器液晶
  特点:
  - 低成本
  - 易于使用的
  - 非常小的尺寸
  - 低功耗
  - 稳定性高，精度高
  - 专用于操作前置放大器集成2-，3-和4级TE冷却探测器
  - 兼容各种可编程前置放大器PIP;用户可以交换模块和控制器
  - 现代建筑采用数字执行PID温度控制
  - 电流/电压/温度监视器可与PC程序
  - 过流、过压、过热保护
  - 分离接地和滤波以改进EMC
  - 固件升级选项可用
  - 提供适当的探测器冷却
  - 前置放大器提供包括

应用程序

- 用于安全和防御应用的红外探测器
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- 该装置将被设计用于搜索可能发生爆炸、毒气或恐怖袭击的地方。接下来，检测系统将通知可能的风险或威胁
- 铁路运输安全红外探测器
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- 安全是铁路运输最重要的方面。然而，铁路交通每年至少发生几起严重事故。
- 中红外线性探测器阵列塑料分类
- - 更多信息
- 大规模生产塑料制品的有效方法的发展已经彻底改变了许多行业，但大规模回收的方法呢?
- 红外激光气体泄漏检测
- - 更多信息
- VIGO系统开发了一种独特的制造仪器技术，可快速方便地检测1 - 16 μm红外辐射。
- 医疗传感器
- - 更多信息
- 市面上也有使用VIGO系统开发的技术的设备。那些是用来分析呼出气体的仪器。
- 工业红外传感器
- - 更多信息
- 该探测器用于监测化工、炼油、发电、食品和气溶胶生产行业的过程气体。
- 汽车传感器
- - 更多信息
- VIGO系统探测器无与伦比的速度和灵敏度使它们在响应时间关系到数百人安全的应用中非常有用。
- 环境传感器
- - 更多信息
- 波兰的产品已经在监测大气成分的研究中心、工厂和发电厂的烟囱或无人驾驶气象气球上表现良好。

epi -wafer:我们以激情服务于III-V集团半导体市场。
我们生产非常高质量的III-V外延结构，用于复杂的电子产品，如激光器，光电探测器，晶体管，光伏电池和其他设备。作为市场上为数不多的几家公司之一，我们提供广泛的高质量外联晶圆，既可以大批量生产，也可以小批量测试。

- 砷化镓的基础产品
- - 更多信息
- AlGaAs /砷化镓:
  - QW边缘发射激光器
  - VCSELs
  - fet, hemt，肖特基二极管
  - 变容器
  GaAsP/GaAs:应变QW边缘发射激光器
  InGaAsP/GaAs: 808nm QW激光器
  InGaAs/AlGaAs/GaAs:应变QW激光器
  在/砷化镓:QD激光
  AlGaAs /砷化镓:被动的波导
  生产,规范
- 可根据产品
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- InGaAsP/InP:应变或匹配的QW边缘发射激光器和SOAs 1300 - 1600nm
  InGaAs/InP: QW边缘发射激光器
  InGaAsP /输入:VCSEL的结构
  InAlGaAs/InP:边缘发射和VCSEL结构
  InGaAsP /输入:被动的设备
  InGaAs:光电探测器
  InAlAs InGaAs /输入:HEMTs
  生产,规范

自动化21日xx

红外探测器

HgCdTe (MCT)光伏探测器

选中的行

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.4 - 5.5 μ m，室温，光浸

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.4 - 4.5 μ m，室温，光浸

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.4 - 4.3 μ m，室温，光浸

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.9 - 5.5 μ m，室温，光浸

HgCdTe (MCT)光伏探测器

3.0 - 6.7 μ m，室温，光浸

HgCdTe (MCT)光伏探测器

3.0 - 6.9 μ m，室温，光浸

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.0 - 12.0 μ m，两级热电冷却，多结

HgCdTe (MCT)光伏探测器

2.0 - 12.0 μ m，环境温度，多结

所有HgCdTe (MCT)光伏探测器

光伏

3-8 μm红外光伏探测器

PV-2TE

2-12 μm红外光伏探测器热电冷却

PV-3TE

1 ~ 15 μm三级热电冷却光导探测器

PV-4TE

1.0 - 16.0 μ m HgCdTe四级热电冷却光导探测器

元太

2-8 μm红外光伏探测器光学浸没

PVI-2TE

2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光浸没

PVI-3TE

2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光浸没

PVI-4TE

2-12 μm红外光伏探测器热电冷却光浸没

PVM

8-11 μm红外光伏多结探测器

PVM-2TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却

PVMI

8-11 μm红外光伏多结探测器光学浸没

PVMI-2TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光浸没

PVMI-3TE

8-11 μm红外光伏多结探测器热电冷却光浸没

PVMI-4TE

8-11微米红外光伏多结探测器热电冷却光学浸没

PEM

PEMI

HgCdTe (MCT)光导探测器

选中的行

PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36

1.0 - 14.0 μ m，三级热电冷却，光浸

所有HgCdTe (MCT)光导探测器

个人电脑

2-11 μ m红外光导体

PC-2TE

2-13 μ m红外光导体热电冷却

PC-3TE

2-13 μ m红外光导体热电冷却

PC-4TE

2-14 μ m红外光导体热电冷却

一种总线标准

2-11 μ m红外光导体光浸没

PCI-2TE

2-13 μ m红外光导体热电冷却光浸没

PCI-3TE

2-13 μ m红外光导体热电冷却光浸没

PCI-4TE

2-14 μ m红外光导体热电冷却光浸没

在/ InAsSb光电探测器

PVA

2.0 - 5.5 μ m，环境温度

PVA-2TE

2.0 - 5.5 μ m，二级热电冷却

PVIA